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1. WO2009050945 - スピンバルブ素子

公開番号 WO/2009/050945
公開日 23.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/065406
国際出願日 28.08.2008
IPC
H01L 29/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
82装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
H03B 15/00 2006.01
H電気
03基本電子回路
B振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
15電流磁気効果装置,例.ホール効果装置,スピントランスファー効果を用いた装置,巨大磁気抵抗を用いた装置,または超伝導効果を用いた振動の発生
CPC
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
H03B 15/006
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
15Generation of oscillations using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, or using superconductivity effects
006using spin transfer effects or giant magnetoresistance
Y10T 428/1114
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
11Magnetic recording head
1107Magnetoresistive
1114having tunnel junction effect
Y10T 428/24331
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
24273including aperture
24322Composite web or sheet
24331including nonapertured component
出願人
  • 富士電機ホールディングス株式会社 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 川上 春雄 KAWAKAMI, Haruo (UsOnly)
  • 荻本 泰史 OGIMOTO, Yasushi (UsOnly)
  • 足立 栄希 ADACHI, Eiki (UsOnly)
発明者
  • 川上 春雄 KAWAKAMI, Haruo
  • 荻本 泰史 OGIMOTO, Yasushi
  • 足立 栄希 ADACHI, Eiki
代理人
  • 奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi
優先権情報
2007-26757415.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPIN-VALVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE VANNE DE SPIN
(JA) スピンバルブ素子
要約
(EN)
In order to increase the power which can flow into a spin-valve element, an insulating layer (24) or a non-magnetic layer (51) is sandwiched by ferromagnetic layers (23, 25) and a porous layer (10(10')) having a plenty of micro pores is arranged in contact with one of the ferromagnetic layer or between the ferromagnetic layers via other layer. Thus, it is possible to increase the power of the microwave when oscillating a microwave by a spin-valve element, for example, without using a magnetic multi-layered film of a wide-region single magnetic domain.
(FR)
Selon l'invention, afin d'augmenter la puissance pouvant circuler à l'intérieur d'un élément de vanne de spin, une couche isolante (24) ou une couche non magnétique (51) est prise en sandwich par des couches ferromagnétiques (23, 25) et une couche poreuse (10(10')) ayant beaucoup de micropores est agencée en contact avec l'une des couches ferromagnétiques ou entre les couches ferromagnétiques par l'intermédiaire d'une autre couche. Ainsi, il est possible d'augmenter la puissance de la micro-onde lors de l'oscillation de la micro-onde par un élément de vanne de spin, par exemple, sans utiliser un film à multiples couches magnétiques d'un domaine magnétique unique à région large.
(JA)
 スピンバルブ素子に流せる電力を増大するために、絶縁体層24または非磁性層51が強磁性体層23,25によって挟持されて、微細孔を複数有する多孔質層10(10´)を一方の強磁性体層に接するように、または、その強磁性体層との間に他の層を置いて配置する。これにより、広い領域の単一の磁区の磁性多層膜を用いなくても、例えば、スピンパブル素子によってマイクロ波を発振させる際にマイクロ波の電力を大きくすることができる。
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