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1. WO2009048025 - 不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ

公開番号 WO/2009/048025
公開日 16.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/068044
国際出願日 03.10.2008
予備審査請求日 18.06.2009
IPC
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
G11C 11/15 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02磁気的素子を用いるもの
14薄膜素子を用いるもの
15多層の磁性層を用いるもの
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 29/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
82装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大野 英男 OHNO, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松倉 文▲礼▼ MATSUKURA, Fumihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 千葉 大地 CHIBA, Daichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 大野 英男 OHNO, Hideo
  • 松倉 文▲礼▼ MATSUKURA, Fumihiro
  • 千葉 大地 CHIBA, Daichi
代理人
  • 清水 守 SHIMIZU, Mamoru
優先権情報
2007-26574711.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NONVOLATILE SOLID STATE MAGNETIC MEMORY RECORDING METHOD AND NONVOLATILE SOLID STATE MAGNETIC MEMORY
(FR) PROCÉDÉ D'ENREGISTREMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE
(JA) 不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ
要約
(EN)
It is possible to provide a nonvolatile solid state magnetic memory recording method and a nonvolatile solid state magnetic memory which require ultra-low power consumption by using a magnetic body having a magnetic anisotropy which is changed by increase/decrease of a carrier concentration so as to control the magnetization-enabled axis direction of the magnetic body (direction into which the magnetization is easily directed) by increasing/decreasing the carrier concentration. The nonvolatile solid state magnetic memory includes a recording layer (11) formed by a magnetic body. By increasing or decreasing or performing a combination of an increase and a decrease of the concentration of the carrier (electron, electron hole) of the recording layer (11), the magnetization is rotated or inversed to execute the recording operation.
(FR)
L'invention porte sur un procédé d'enregistrement de mémoire magnétique à semi-conducteur non volatile et sur une mémoire magnétique à semi-conducteur non volatile qui requièrent une consommation électrique ultra-basse par utilisation d'un corps magnétique ayant une anisotropie magnétique qui est changée par augmentation/réduction d'une concentration de porteurs de façon à commander la direction d'axe d'aimantation permise du corps magnétique (direction dans laquelle l'aimantation est facilement dirigée) par augmentation/réduction de la concentration des porteurs. La mémoire magnétique à semi-conducteur non volatile comprend une couche d'enregistrement (11) formée par un corps magnétique. Par augmentation ou réduction ou combinaison d'une augmentation et d'une réduction de la concentration des porteurs (électron, trou) de la couche d'enregistrement (11), l'aimantation est faite tourner ou inversée afin d'exécuter l'opération d'enregistrement.
(JA)
 キャリア濃度の増減で磁気異方性が変化する磁性体を利用し、磁性体の磁化容易軸方向(磁化が向きやすい方向)を、キャリア濃度を増減させることで制御することにより、超低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリを提供する。  磁性体からなる記録層(11)を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリであって、前記記録層(11)のキャリア(電子・正孔) 濃度を増加または減少させる操作若しくはそれらを組み合わせた操作を行なうことによって、磁化を回転または反転させて記録動作を実行するようにした。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報