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1. WO2009047879 - 成膜方法および成膜装置

公開番号 WO/2009/047879
公開日 16.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/002486
国際出願日 09.09.2008
IPC
C23C 14/24 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
24真空蒸着
B22D 11/00 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
D金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造
11金属の連続鋳造,すなわち不定長さへの鋳造
B22D 11/04 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
D金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造
11金属の連続鋳造,すなわち不定長さへの鋳造
04両端が貫通している鋳型へのもの
B22D 11/059 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
D金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造
11金属の連続鋳造,すなわち不定長さへの鋳造
04両端が貫通している鋳型へのもの
059鋳型の材料またはメッキ
B22D 27/02 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
D金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造
27溶融または延性状態にある鋳型中の金属の処理
02電気的または磁気的効果の利用によるもの
C01B 33/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
CPC
B22D 11/10
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
11Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
10Supplying or treating molten metal
B22D 11/143
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
11Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
14Plants for continuous casting
143for horizontal casting
C23C 14/246
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
24Vacuum evaporation
246Replenishment of source material
C23C 14/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
24Vacuum evaporation
28by wave energy or particle radiation
30by electron bombardment
C23C 14/562
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
562for coating elongated substrates
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 神山遊馬 KAMIYAMA, Yuma (UsOnly)
  • 本田和義 HONDA, Kazuyoshi (UsOnly)
  • 別所邦彦 BESSHO, Kunihiko (UsOnly)
  • 柳智文 YANAGI, Tomofumi (UsOnly)
  • 篠川泰治 SHINOKAWA, Yasuharu (UsOnly)
  • 佐藤俊忠 SATO, Toshitada (UsOnly)
発明者
  • 神山遊馬 KAMIYAMA, Yuma
  • 本田和義 HONDA, Kazuyoshi
  • 別所邦彦 BESSHO, Kunihiko
  • 柳智文 YANAGI, Tomofumi
  • 篠川泰治 SHINOKAWA, Yasuharu
  • 佐藤俊忠 SATO, Toshitada
代理人
  • 特許業務法人 有古特許事務所 PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE
優先権情報
2007-26308009.10.2007JP
2007-28595302.11.2007JP
2007-28834606.11.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法および成膜装置
要約
(EN)
Provided are a film forming method and a film forming apparatus for forming a film at low cost. The film forming method includes (i) a step of melting a solid-state thin film material (51) into a melt, forming a bar-like body (51b) by solidifying the melt (51a) and pulling out the bar-like body (51b), (ii) a step of melting a part of the bar-like body (51b) to supply to a melt (vapor source) (51d), and (iii) a step of forming a thin film by using the melt (vapor source) (51d). The steps (i), (ii) and (iii) are performed in vacuum.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de formation de film et sur un appareil de formation de film pour former un film à faible coût. Le procédé de formation de film comprend (i) une étape de fusion d'un matériau de film mince à semi-conducteur (51) sous la forme d'une masse fondue, de formation d'un corps en forme de barre (51b) par solidification de la masse fondue (51a) et de traction du corps en forme de barre (51b), (ii) une étape de fusion d'une partie du corps en forme de barre (51b) pour la délivrance d'une masse fondue (source de vapeur) (51d) et (iii) une étape de formation de film mince à l'aide de la masse fondue (source de vapeur) (51d). Les étapes (i), (ii) et (iii) sont effectuées sous vide.
(JA)
低コストに成膜をすることができる成膜方法および成膜装置を提供する。本発明の成膜方法は、(i)薄膜の固体原料51を溶融して融液とし、その融液51aを凝固させて棒状体51bを形成し、その棒状体51bを引き出す工程と、(ii)棒状体51bの一部を溶融させて、融液(蒸発源)51dに供給する工程と、(iii)融液(蒸発源)51dを用いて薄膜を形成する工程とを含む。そして、工程(i)および(ii)および(iii)が、真空中で行われる。
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