(EN) Disclosed is a transparent conductive film which is formed as an amorphous film by using a sputtering target containing an oxide sintered body which contains indium oxide, and if necessary tin, while containing an additional element having an oxygen binding energy of 100-350 kJ/mol (excluding Ba, Mg and Y) in an amount of not less than 0.0001 mole but less than 0.10 mole per 1 mole of indium. The transparent conductive film contains indium oxide, and if necessary tin, while containing the additional element.
(FR) L'invention concerne un film conducteur transparent formant un film amorphe obtenu par utilisation d'une cible de pulvérisation contenant un corps fritté à l'oxyde qui comprend de l'oxyde d'indium et, si nécessaire, de l'étain, ainsi qu'un élément supplémentaire présentant une énergie de liaison à l'oxygène de 100 à 350 kJ/mol (sauf Ba, Mg et Y) selon une quantité non inférieure à 0,0001 mole mais inférieure à 0,10 mole par mole d'indium. Ledit film conducteur transparent contient de l'oxyde d'indium et, si nécessaire, de l'étain, ainsi que ledit élément supplémentaire.
(JA) 酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共に酸素結合エネルギーが１００～３５０ｋＪ／ｍｏｌの範囲にある添加元素（但し、Ｂａ、Ｍｇ、Ｙを除く）をインジウム１モルに対して０．０００１モル以上０．１０モル未満含有する酸化物焼結体を具備するスパッタリングターゲットを用いてアモルファスな膜として成膜された透明導電膜であって、酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共に前記添加元素を含有する。
