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1. WO2009044892 - 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法

公開番号 WO/2009/044892
公開日 09.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/068101
国際出願日 03.10.2008
IPC
H01B 5/14 2006.1
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
C23C 14/08 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
H01B 13/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13導体またはケーブルの製造に特に適合した装置または方法
CPC
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
C23C 14/086
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
086of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
H01L 31/1884
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
出願人
  • 三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 高橋 誠一郎 TAKAHASHI, Seiichiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮下 徳彦 MIYASHITA, Norihiko [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 高橋 誠一郎 TAKAHASHI, Seiichiro
  • 宮下 徳彦 MIYASHITA, Norihiko
代理人
  • 栗原浩之 KURIHARA, Hiroyuki
優先権情報
2007-26043603.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
(FR) FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT À BASE D'OXYDE D'INDIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DU FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT À BASE D'OXYDE D'INDIUM
(JA) 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法
要約
(EN) This invention provides an indium oxide-based transparent electroconductive film and a process for producing the indium oxide-based transparent electroconductive film. The indium oxide-tin oxide film is used as a transparent electroconductive film, for example, in liquid crystal display devices. However, an amorphous film cannot be formed from the indium oxide-tin oxide film without difficulties. Further, a transparent electroconductive film formed of indium oxide-zinc oxide is known as an amorphous film. This film, however, suffers from problems such as poor transparency. The above problems could have been solved by an indium oxide-based transparent electroconductive film, formed by using a sputtering target including an oxide sinter containing indium oxide and tin and further containing yttrium, wherein the proportion of the molar ratio of tin to one mole of indium to the molar ratio X of yttrium to one mole of indium is not less than (-2.5 x 10-2Ln(X) - 5.8 x 10-2) and not more than (-1.0 x 10-1Ln(X) - 5.0 x 10-2).
(FR) L'invention concerne un film électroconducteur transparent à base d'oxyde d'indium et un procédé de production du film électroconducteur transparent à base d'oxyde d'indium. Le film d'oxyde d'indium-oxyde d'étain est utilisé en tant que film électronconducteur transparent, par exemple, dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides. Cependant, un film amorphe ne peut pas être formé à partir du film d'oxyde d'indium-oxyde d'étain sans difficultés. En outre, un film électroconducteur transparent constitué d'oxyde d'indium-oxyde de zinc est connu en tant que film amorphe. Ledit film, cependant, souffre de problèmes tels qu'une faible transparence. Les problèmes susmentionnés peuvent être résolus par un film électroconducteur transparent à base d'oxyde d'indium, formé à l'aide d'une cible de pulvérisation comprenant un aggloméré d'oxyde contenant de l'oxyde d'indium et de l'étain et contenant en outre de l'yttrium, la proportion du rapport molaire de l'étain sur une mole d'indium relativement au rapport molaire X de l'yttrium sur une mole d'indium est supérieure à (-2,5 x 10-2Ln(X) - 5,8 x 10-2) et inférieure à (-1,0 x 10-1Ln(X) - 5,0 x 10-2).
(JA) 本発明は、酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法に関する。 酸化インジウム-酸化錫膜は、透明導電膜として、液晶表示装置等に用いられているが、アモルファスな膜とするのが困難であり、アモルファスな膜として、酸化インジウム-酸化亜鉛透明導電膜が知られているが、透明性に劣る等の問題があった。本発明は、酸化インジウム系透明導電膜を、酸化インジウムと錫を含有すると共にイットリウムを含有する酸化物焼結体を具備するスパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電膜であって、インジウム1モルに対しての錫のモル比が、インジウム1モルに対するイットリウムのモル比Xに対して、(-2.5×10-2Ln(X)-5.8×10-2)以上であり、かつ、(-1.0×10-1Ln(X)-5.0×10-2)以下の範囲にある、透明導電膜とすること等によって、上記問題の解決を図ったものである。 
国際事務局に記録されている最新の書誌情報