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1. WO2009044800 - 電極の製造方法、電子回路パターン、薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子

公開番号 WO/2009/044800
公開日 09.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/067910
国際出願日 02.10.2008
IPC
H01L 21/288 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/40 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
CPC
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
H01L 21/76838
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
H01L 51/0021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0021Formation of conductors
H01L 51/0052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0052Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
H01L 51/0059
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0059Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
H01L 51/0068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0062aromatic compounds comprising a hetero atom, e.g.: N,P,S
0068comprising only sulfur as heteroatom
出願人
  • コニカミノルタホールディングス株式会社 Konica Minolta Holdings, Inc. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 本田 誠 HONDA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 平井 桂 HIRAI, Katsura [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 北 弘志 KITA, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 本田 誠 HONDA, Makoto
  • 平井 桂 HIRAI, Katsura
  • 北 弘志 KITA, Hiroshi
優先権情報
2007-25962703.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTRODE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC CIRCUIT PATTERN, THIN-FILM TRANSISTOR DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODE, MOTIF DE CIRCUIT ÉLECTRONIQUE, DISPOSITIF DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, ET DISPOSITIF À ÉLECTROLUMINESCENCE ORGANIQUE
(JA) 電極の製造方法、電子回路パターン、薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
要約
(EN) An electrode which enables formation of a low-resistance and microminature circuit pattern, which is also applicable to a resin substrate with low heat resistance, which is made of a material such as commonly-used silver, gold, copper, platinum, nickel, or aluminum, and whose manufacturing efficiency is high, and its manufacturing method are provided. Further, an electronic circuit pattern, a thin-film transistor device, and an organic electroluminescence device which use the electrode are provided. The electrode manufacturing method is characterized in that after a thin-film pattern containing metallic micro particles and an metallic oxide with electromagnetic wave absorption power or a precursor of the metallic oxide is formed on a substrate, a conductor is disposed directly or indirectly on the substrate on which the thin-film pattern is formed, and the metallic fine particles are bonded by irradiating the thin-film pattern with electromagnetic waves.
(FR) L'invention porte sur une électrode permettant la formation d'un motif de circuit à résistance faible et microminiature, qui est également applicable à un substrat de résine ayant une résistance à la chaleur faible, qui est faite d'un matériau tel que l'argent, l'or, le cuivre, le platine, le nickel ou l'aluminium couramment utilisés, et dont le rendement de fabrication est élevé, et sur son procédé de fabrication. L'invention porte en outre sur un motif de circuit électronique, sur un dispositif de transistor en couches minces et sur un dispositif à électroluminescence organique qui utilisent l'électrode. Le procédé de fabrication d'électrode est caractérisé par le fait qu'après qu'un motif en couche mince contenant des microparticules métalliques et un oxyde métallique ayant un pouvoir d'absorption d'ondes électromagnétiques ou un précurseur de l'oxyde métallique a été formé sur un substrat, un conducteur est disposé directement ou indirectement sur le substrat sur lequel le motif en couche mince est formé, et les fines particules métalliques sont liées par irradiation du motif en couche mince avec des ondes électromagnétiques.
(JA)  本発明は、低抵抗かつ超微細な回路パターンを形成でき、耐熱性の低い樹脂基板にも適用でき、電極材料として一般的な銀、金、銅、白金、ニッケル、アルミニウムを使用でき、かつ生産効率が高い電極及びその製造方法を提供し、さらには、該電極を用いた電子回路パターン、薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子提供する。この電極の製造方法は、基板上に金属微粒子及び、電磁波吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化物の前駆体を含む薄膜パターンを形成した後、前記薄膜パターンを形成した基板に対して導電体を直接的または間接的に配置し、前記薄膜パターンに電磁波を照射することにより、前記金属微粒子を結合することを特徴とする。
関連特許文献
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