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1. WO2009044675 - 有機EL素子、有機EL素子製造方法

公開番号 WO/2009/044675
公開日 09.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/067450
国際出願日 26.09.2008
IPC
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 27/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H05B 33/26 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
26電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
H05B 33/28 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
26電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
28半透明電極
CPC
H01L 2251/5315
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
50Organic light emitting devices
53Structure
5307specially adapted for controlling the direction of light emission
5315Top emission
H01L 51/5092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5088Carrier injection layer
5092Electron injection layer
H01L 51/5234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5203Electrodes
5221Cathodes, i.e. with low work-function material
5234Transparent, e.g. including thin metal film
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 根岸 敏夫 NEGISHI, Toshio [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 根岸 敏夫 NEGISHI, Toshio
代理人
  • 石島 茂男 ISHIJIMA, Shigeo
優先権情報
2007-25877302.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORGANIC EL ELEMENT AND ORGANIC EL ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 有機EL素子、有機EL素子製造方法
要約
(EN)
A cathode electrode layer having a high density and step coverage property is formed on an electron implantation layer. An electron transporting material and an electron implanting material are co-deposited so as to form an electron-implantation layer (26) as an organic thin film having an electron transporting property in which fine particles of electron-implanting material are dispersed. A cathode electrode layer (27) formed by an MgAg alloy layer is formed on the surface of the electron-implantation layer (26) by the sputtering method. Since the fine particles of the electron-implanting material dispersed on the surface of the organic thin film have lower portions buried in the organic thin film, they are not detached even if collided by the sputtering particles and their upper portions are brought into contact with the cathode electrode layer (27) formed by the sputtering particles.
(FR)
Une couche d'électrode de cathode de haute densité et possédant une propriété de recouvrement par degrés est formée sur une couche d'implantation d'électrons. Une matière de transport d'électrons et une matière d'implantation d'électrons sont codéposées de manière à former une couche (26) d'implantation d'électrons servant de couche mince organique, qui présente une propriété de transport d'électrons et dans laquelle de fines particules de matière d'implantation d'électrons sont dispersées. Une couche (27) d'électrode de cathode formée par une couche d'alliage de MgAg est formée sur la surface de la couche (26) d'implantation d'électrons par un procédé de pulvérisation. Comme les particules fines de la matière d'implantation d'électrons dispersée sur la surface de la couche mince organique comportent des parties inférieures enfouies dans la couche mince organique, lesdites particules ne se détachent pas même si sont frappées par les particules pulvérisées, et leurs parties supérieures sont mises en contact avec la couche (27) d'électrode de cathode formée par les particules pulvérisées.
(JA)
 緻密でステップカバレッジ性の高いカソード電極層を電子注入層上に形成する。電子輸送性材料と電子注入性材料を共蒸着し、電子輸送性の有機薄膜中に電子注入性材料の微粒子が分散された電子注入層26を形成し、その表面に、スパッタリング法によってMgAg合金層から成るカソード電極層27を形成する。有機薄膜の表面に分散された電子注入性材料の微粒子は、下部が有機薄膜中に埋没しているので、スパッタリング粒子が衝突しても剥離せず、スパッタリング粒子によって形成されるカソード電極層27と上部で接触する。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報