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1. WO2009044597 - 高周波スパッタリング装置

公開番号 WO/2009/044597
公開日 09.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/065485
国際出願日 29.08.2008
予備審査請求日 04.08.2009
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
CPC
C23C 14/345
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3435Applying energy to the substrate during sputtering
345using substrate bias
C23C 14/3464
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3464using more than one target
C23C 14/505
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
50Substrate holders
505for rotation of the substrates
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 Canon ANELVA Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 永峰 佳紀 NAGAMINE, Yoshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中村 貫人 NAKAMURA, Kanto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 恒川 孝二 TSUNEKAWA, Koji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 永峰 佳紀 NAGAMINE, Yoshinori
  • 中村 貫人 NAKAMURA, Kanto
  • 恒川 孝二 TSUNEKAWA, Koji
代理人
  • 岡部 正夫 OKABE, Masao
優先権情報
2008-21538625.08.2008JP
PCT/JP2007/06945904.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY SPUTTERING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波スパッタリング装置
要約
(EN)
Provided is a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device. A substrate potential is adjusted so as to control the self bias for the substrate. The high-frequency sputtering device includes a chamber, air exhaust means for discharging air from the chamber, gas introduction means for supplying a gas into the chamber, a substrate holder having a table on which the substrate is mounted, rotation drive means which can rotate the substrate holder, a sputtering cathode characterized in that the surface of the substrate mounting table is not parallel to the surface of the target mounting table, an electrode arranged inside the substrate holder, and a variable impedance mechanism electrically connected to the electrode for adjusting the substrate potential on the substrate holder.
(FR)
L'invention concerne un film mince magnéto-résistif de haute qualité obtenu par un procédé pour contrôler l'auto-polarisation d'un dispositif de pulvérisation cathodique à haute fréquence. Un potentiel de substrat est réglé de façon à contrôler l'auto-polarisation pour le substrat. Le dispositif de pulvérisation cathodique à haute fréquence comprend une chambre, des moyens d'évacuation d'air pour décharger de l'air à partir de la chambre, des moyens d'introduction de gaz pour introduire un gaz dans la chambre, un support de substrat comportant une table sur laquelle est monté le substrat, des moyens d'entraînement en rotation qui peuvent faire tourner le support de substrat, une cathode de pulvérisation cathodique caractérisée par le fait que la surface de la table de montage de substrat n'est pas parallèle à la surface de la table de montage cible, une électrode agencée à l'intérieur du support de substrat, et un mécanisme à impédance variable électriquement connecté à l'électrode pour régler le potentiel de substrat sur le support de substrat.
(JA)
高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報