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1. WO2009044583 - アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び、液晶表示装置

公開番号 WO/2009/044583
公開日 09.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/063970
国際出願日 04.08.2008
IPC
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G02F 1/1345 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333構造配置
1345電極をセル端子に接続する導体
G02F 1/1368 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
G02F 1/1345
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
H01L 27/1244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
1244for preventing breakage, peeling or short circuiting
H01L 27/1288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1288employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 田中 哲憲 TANAKA, Tetsunori (UsOnly)
  • 伴 厚志 BAN, Atsushi (UsOnly)
  • 妹尾 亨 SENOO, Tohru (UsOnly)
  • 中村 渉 NAKAMURA, Wataru (UsOnly)
  • 嶋田 幸峰 SHIMADA, Yukimine (UsOnly)
発明者
  • 田中 哲憲 TANAKA, Tetsunori
  • 伴 厚志 BAN, Atsushi
  • 妹尾 亨 SENOO, Tohru
  • 中村 渉 NAKAMURA, Wataru
  • 嶋田 幸峰 SHIMADA, Yukimine
代理人
  • 特許業務法人原謙三国際特許事務所 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
2007-25920502.10.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び、液晶表示装置
要約
(EN)
Provided are an active matrix substrate to be used for a liquid crystal display device and a liquid crystal display device provided with the active matrix substrate. An active matrix substrate (30) is provided with a substrate, a gate wiring (50) formed on the substrate, and an interlayer insulating layer (90) for insulating another layer formed on the gate wiring (50) and the gate wiring (50) one from the other. In the active matrix substrate (30), the interlayer insulating layer (90) is arranged on the substrate so that in a partial region of the substrate, the interlayer insulating layer (90) is not arranged on an upper surface of the gate wiring (50) and the upper surface is exposed, while the interlayer insulating layer (90) is brought into contact with an end surface of the gate wiring (50) at least on the end surface along the longitudinal direction. Since generation of failures of the active matrix substrate is reduced in manufacture and component mounting, the active matrix substrate can be used for liquid crystal display device manufacture wherein low cost and high reliability are demanded.
(FR)
L'invention porte sur un substrat de matrice active destiné à être utilisé pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides et sur un dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant le substrat de matrice active. Un substrat de matrice active (30) comporte un substrat, un câblage de commande (50) formé sur le substrat, et une couche isolante intermédiaire (90) pour isoler une autre couche formée sur le câblage de commande (50) et le câblage de commande (50) l'un de l'autre. Dans le substrat de matrice active (30), la couche isolante intermédiaire (90) est agencée sur le substrat, de telle sorte que, dans une région partielle du substrat, la couche isolante intermédiaire (90) n'est pas agencée sur une surface supérieure du câblage de commande (50) et que la surface supérieure est exposée, tandis que la couche isolante intermédiaire (90) est amenée en contact avec une surface d'extrémité du câblage de commande (50) au moins sur la surface d'extrémité le long de la direction longitudinale. Comme une génération de défaillances du substrat de matrice active est réduite lors de la fabrication et du montage du composant, le substrat de matrice active peut être utilisé pour la fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides dans laquelle un faible coût et une fiabilité élevée sont demandés.
(JA)
 本発明は、液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板、及び、かかるアクティブマトリクス基板が備えられた液晶表示装置に関するものである。 本発明のアクティブマトリクス基板(30)は、基板と、基板上に形成されたゲート配線(50)と、ゲート配線(50)上に形成された他の層と、ゲート配線(50)とを絶縁するための層間絶縁層(90)とが備えられたアクティブマトリクス基板(30)であって、基板の一部領域において、層間絶縁層(90)は、ゲート配線(50)の上面には設けられておらず上面が露出している一方、ゲート配線(50)の、少なくとも長手方向に沿った端面においては、層間絶縁層(90)は、端面に接するように基板上に設けられている。 本発明によるとアクティブマトリクス基板の製造時や部品実装時における不良の発生を低減することができるので、低コストで高信頼性が求められる液晶表示装置の製造において利用可能である。
他の公開
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