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1. WO2009041629 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2009/041629
公開日 02.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/067513
国際出願日 26.09.2008
IPC
H05H 1/46 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/31 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/3222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
3222Antennas
H01J 37/32229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
32229Waveguides
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 太田 龍作 OTA, Ryosaku [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 足立 光 ADACHI, Hikaru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中西 敏雄 NAKANISHI, Toshio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 植田 篤 UEDA, Atsushi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 康 松潤 KANG, Songyun [KR]/[JP] (UsOnly)
  • モルズ ポール MOROZ, Paul [US]/[US] (UsOnly)
  • ヴェンツェック ピーター VENTZEK, Peter [US]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 太田 龍作 OTA, Ryosaku
  • 足立 光 ADACHI, Hikaru
  • 中西 敏雄 NAKANISHI, Toshio
  • 植田 篤 UEDA, Atsushi
  • 康 松潤 KANG, Songyun
  • モルズ ポール MOROZ, Paul
  • ヴェンツェック ピーター VENTZEK, Peter
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji
優先権情報
2007-25427028.09.2007JP
2007-25427128.09.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN) A microwave plasma processing device (100) of the slot antenna type includes a planar antenna plate (31) constituting a flat waveguide and a cover (34) formed by a conductive member. The cover (34) has a stub (43) as a second waveguide for adjusting field distribution in the flat waveguide. The stub (43) is arranged at a position superposed by slots (32) constituting a slot pair arranged at the outermost circumference of the planar antenna plate (31) when viewed from above. By appropriately arranging the stubs (43), it is possible to control the field distribution in the flat waveguide and generate a uniform plasma.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de traitement au plasma micro-onde (100) de type antenne à fentes, qui comprend une plaque d'antenne plane (31) constituant un guide d'onde plat et un couvercle (34) formé par un élément conducteur. Le couvercle (34) a une embase (43) en tant que second guide d'onde pour ajuster une distribution de champ dans le guide d'onde plat. L'embase (43) est agencée à une position superposée par des fentes (32) constituant une paire de fentes agencées à la périphérie la plus à l'extérieur de la plaque d'antenne plane (31) lorsqu'elle est vue du dessus. Par un agencement approprié des embases (43), il est possible de commander la distribution de champ dans le guide d'onde plat et de générer un plasma uniforme.
(JA)  スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置100は、扁平導波管を構成する平面アンテナ板31および導電性部材からなるカバー34を備える。カバー34に、扁平導波管内の電界分布を調整するための第2の導波管としてのスタブ43を備えている。スタブ43は、導電性部材からなるカバー34が設けられている。スタブ43は、平面視で、平面アンテナ板31の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット32と重なる位置に配置されている。スタブ43の適正な配置により、扁平導波管内の電界分布を制御して均一なプラズマを生成することができる。
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