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1. WO2009041529 - 反射膜、反射膜積層体、LED、有機ELディスプレイ及び有機EL照明器具

公開番号 WO/2009/041529
公開日 02.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/067336
国際出願日 25.09.2008
IPC
G02B 5/08 2006.1
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
08反射鏡
B32B 15/04 2006.1
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
15本質的に金属からなる積層体
04層の主なまたは唯一の構成要素が金属からなり,特定物質の他の層に隣接したもの
C23C 14/14 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
14金属質材料,ほう素またはけい素
F21V 7/22 2006.1
F機械工学;照明;加熱;武器;爆破
21照明
V照明装置またはそのシステムの機能的特徴あるいは細部;他に分類されない,その他の物品と照明装置との構造的な組み合わせ
7光源用の反射器
22材料,表面処理またはコーティングに特徴のあるもの,例.ダイクロイックリフレクタ
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/26 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
26電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
CPC
C23C 14/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
14Metallic material, boron or silicon
C23C 14/165
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
14Metallic material, boron or silicon
16on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
165by cathodic sputtering
F21S 41/37
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
41Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
30characterised by reflectors
37characterised by their material, surface treatment or coatings
F21V 7/24
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Reflectors for light sources
22characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
24characterised by the material
F21V 7/28
FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21LIGHTING
VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Reflectors for light sources
22characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
28characterised by coatings
G02B 5/0808
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
08Mirrors
0808having a single reflecting layer
出願人
  • 株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木 順 SUZUKI, Jun (UsOnly)
  • 佐藤 俊樹 SATO, Toshiki (UsOnly)
  • 坪田 隆之 TSUBOTA, Takayuki (UsOnly)
  • 谷藤 信一 TANIFUJI, Shinichi (UsOnly)
発明者
  • 鈴木 順 SUZUKI, Jun
  • 佐藤 俊樹 SATO, Toshiki
  • 坪田 隆之 TSUBOTA, Takayuki
  • 谷藤 信一 TANIFUJI, Shinichi
代理人
  • 小栗 昌平 OGURI, Shohei
優先権情報
2007-24735625.09.2007JP
2007-26245405.10.2007JP
2008-16897727.06.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) REFLECTIVE FILM, REFLECTIVE FILM LAMINATE, LED, ORGANIC EL DISPLAY, AND ORGANIC EL ILLUMINATING DEVICE
(FR) FILM RÉFLÉCHISSANT, STRATIFIÉ DE FILM RÉFLÉCHISSANT, DEL, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 反射膜、反射膜積層体、LED、有機ELディスプレイ及び有機EL照明器具
要約
(EN) Disclosed are: a reflective film which is less likely to suffer from the aggregation or sulfuration of an Ag thin film caused by heat; a reflective film laminate; and an LED, an organic EL display, and an organic EL illuminating device each having either one of the reflective film and the reflective film laminate. The reflective film is intended to be formed on a substrate, and is an Ag alloy film which is mainly composed of Ag, contains Bi in an amount of 0.02 at.% or more, further contains at least one element selected from V, Ge and Zn in the total amount of 0.02 at.% or more, and meets the requirement represented by the formula (1) [wherein [A] (at.%) represents the content of the at least one element selected from V, Ge and Zn; and [Bi] (at.%) represents the content of Bi]. The reflective film laminate is intended to be formed on a substrate, and comprises a first film and a second film formed on the first film, wherein the first film comprises an Ag alloy film which is mainly composed of Ag, contains Bi in an amount of 0.02 at.% or more, further contains at least one element selected from V, Ge and Zn in the total amount of 0.02 at.% or more, and meets the requirement represented by the formula (1) [wherein [A] (at.%) represents the content of the at least one element selected from V, Ge and Zn; and [Bi] (at.%) represents the content of Bi], and wherein the second film comprises an oxide of Si. 7x[A]+13x[Bi] ≤ 8 (1)
(FR) L'invention porte sur un film réfléchissant qui est moins susceptible de souffrir de l'agrégation ou de la sulfuration d'un film mince à base d'Ag provoquée par la chaleur, sur un stratifié de film réfléchissant et sur une DEL, sur un dispositif électroluminescent organique et sur un dispositif d'éclairage électroluminescent organique ayant chacun l'un ou l'autre du film réfléchissant et du stratifié de film réfléchissant. Le film réfléchissant est destiné à être formé sur un substrat, et est un film en alliage à base de d'Ag qui est principalement composé d'Ag, contient du Bi dans une quantité de 0,02 % atomique ou plus, contient en outre ou moins un élément choisi parmi V, Ge et Zn dans la quantité totale d'au moins 0,02 % atomique, et satisfait l'exigence représentée par la formule (1) [dans laquelle [A] (% atomique) représente la teneur d'au moins un élément choisi parmi V, Ge et Zn; et [Bi] (% atomique) représente la teneur en Bi]. Le stratifié de film réfléchissant est destiné à être formé sur un substrat, et comprend un premier film et un second film formé sur le premier film, le premier film comprenant un film d'alliage à base d'Ag qui est principalement composé d'Ag, contient du Bi dans une quantité d'au moins 0,02 % atomique, contient en outre au moins un élément choisi parmi V, Ge et Zn dans la quantité totale d'au moins 0,02 % atomique, et satisfait l'exigence représentée par la formule (1) [dans laquelle [A] (% atomique) représente la teneur d'au moins un élément choisi parmi V, Ge et Zn; et [Bi] (% atomique) représente la teneur en Bi], et le second film comprenant un oxyde de Si. 7x[A]+13x[Bi] ≤ 8 (1)
(JA)  本発明は、Ag薄膜の熱による凝集や硫化が生じ難い反射膜、反射膜積層体、及び、これらのいずれかを備えたLED、有機ELディスプレイ及び有機EL照明器具を提供する。本発明に係る反射膜は、基体上に形成される反射膜であって、Agを主成分としBiを0.02原子%以上含有し、更にV、Ge、Znの1種以上を合計で0.02原子%以上含有すると共に、前記V、Ge、Znの1種以上の含有率を[A](原子%)とし、Biの含有率を[Bi](原子%)としたときに、下記式(1)を満足するAg合金膜であることを特徴とする。また、本発明に係る反射膜積層体は、基体上に形成された反射膜積層体であって、Agを主成分としBiを0.02原子%以上含有し、更にV、Ge、Znの1種以上を合計で0.02原子%以上含有すると共に、前記V、Ge、Znの1種以上の含有率を[A](原子%)とし、Biの含有率を[Bi](原子%)としたときに、下記式(1)を満足するAg合金膜を含む第一膜の上に、Siの酸化物を含む第二膜が形成されていることを特徴とする。       7×[A]+13×[Bi]≦8 ・・・(1)
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