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1. WO2009041214 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

公開番号 WO/2009/041214
公開日 02.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/065631
国際出願日 01.09.2008
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
H01L 21/31116
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 川上 雅人 KAWAKAMI, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 瀬川 澄江 SEGAWA, Sumie [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 伊藤 融 ITO, Toru [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 川上 雅人 KAWAKAMI, Masato
  • 瀬川 澄江 SEGAWA, Sumie
  • 伊藤 融 ITO, Toru
代理人
  • 大山 浩明 OHYAMA, Hiroaki
優先権情報
2007-25566028.09.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF PLASMA TREATMENT AND PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
要約
(EN)
In the plasma treatment by an electrically negative gas, the in-plane uniformity of plasma treatment is enhanced over the prior art by controlling the ion density in the plasma. Not only is a treating gas being an electrically negative gas introduced from a treating gas source (170) into a treatment chamber (102) but also an electrically negative gas greater in electron attachment coefficient than the treating gas is introduced as an addition gas from an addition gas source (180) to thereby form a plasma. In the plasma formation, the ion density in the plasma is controlled by regulating the flow rate of the addition gas relative to the treating gas.
(FR)
La présente invention porte sur un traitement au plasma par un gaz électriquement négatif, l'uniformité dans le plan du traitement au plasma étant améliorée par rapport à l'état antérieur de la technique par la maîtrise de la densité ionique dans le plasma. Non seulement un gaz de traitement, étant un gaz électriquement négatif, est introduit à partir d'une source de gaz de traitement (170) dans une chambre de traitement (102), mais encore un gaz électriquement négatif supérieur en coefficient d'attachement d'électron au gaz de traitement est introduit en tant que gaz d'addition à partir d'une source de gaz d'addition (180) pour ainsi former un plasma. Dans la formation de plasma, la densité ionique dans le plasma est maîtrisée par régulation du débit du gaz d'addition par rapport au gaz de traitement.
(JA)
 電気的負性ガスによりプラズマ処理を行う際に,プラズマ中のイオン密度を制御することによりプラズマ処理の面内均一性を従来以上に向上させる。  処理室(102)内に,電気的負性ガスである処理ガスを処理ガス源(170)から導入すると共に,この処理ガスよりも電子付着係数が大きい電気的負性ガスを添加ガス源(180)から添加ガスとして導入してプラズマを形成し,その際に処理ガスに対する添加ガスの流量を調整することでプラズマ中のイオン密度を制御する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報