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1. WO2009041010 - 半導体集積回路装置、通信装置、情報再生装置、画像表示装置、電子装置、電子制御装置および移動体

公開番号 WO/2009/041010
公開日 02.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2008/002611
国際出願日 22.09.2008
IPC
H03K 17/16 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16混信電圧または混信電流を消去するための変形
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H03K 19/00 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
19論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路
CPC
H03K 17/164
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
162without feedback from the output circuit to the control circuit
163Soft switching
164using parallel switching arrangements
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 熊丸知之 KUMAMARU, Tomoyuki (UsOnly)
発明者
  • 熊丸知之 KUMAMARU, Tomoyuki
代理人
  • 岡田 和秀 OKADA, Kazuhide
優先権情報
2007-25091527.09.2007JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, COMMUNICATION DEVICE, INFORMATION REPRODUCING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC CONTROL DEVICE, AND MOBILE BODY
(FR) DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION, DISPOSITIF DE REPRODUCTION D'INFORMATION, DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DISPOSITIF DE COMMANDE ÉLECTRONIQUE ET CORPS MOBILE
(JA) 半導体集積回路装置、通信装置、情報再生装置、画像表示装置、電子装置、電子制御装置および移動体
要約
(EN)
In order to suppress surge current and power supply noise caused by the surge current, a power supply interrupting structure of a semiconductor integrated circuit comprises a switching circuit for controlling a power supply to a controlled circuit. The switching circuit includes a plurality of transistors each having a different current capability. The transistors are sequentially provided with a certain regularity, including from a low current capability transistor up to a high current capability transistor.
(FR)
Selon l'invention, afin de supprimer un courant de surcharge et un bruit d'alimentation électrique provoqué par le courant de surcharge, une structure d'interruption d'alimentation électrique d'un circuit intégré semi-conducteur comporte un circuit de commutation pour commander l'alimentation électrique à un circuit commandé. Le circuit de commutation comprend une pluralité de transistors ayant chacun une capacité de courant différente. Les transistors sont disposés séquentiellement avec une certaine régularité, allant d'un transistor à capacité de courant faible à un transistor à capacité de courant élevée.
(JA)
 半導体集積回路の電源遮断構造において、瞬時電流およびそれに起因する電源ノイズの発生を抑制するために、本発明は、被制御回路に対する電源の供給制御を行うスイッチ回路を備える。スイッチ回路は、それぞれ異なる電流能力を有する複数のトランジスタを備える。前記トランジスタを、ある規則性を有して電流能力の小さいものから大きいものまで順次設ける。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報