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1. WO2009040939 - 磁気抵抗効果を用いた負性抵抗素子

公開番号 WO/2009/040939
公開日 02.04.2009
国際出願番号 PCT/JP2007/069019
国際出願日 28.09.2007
IPC
H01L 29/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
82装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H01L 29/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G11C 11/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
H01F 10/3254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
H01F 10/3272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3268the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
3272by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
H01L 29/885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
88Tunnel-effect diodes
885Esaki diodes
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 Canon ANELVA Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 前原 大樹 MAEHARA, Hiroki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 久保田 均 KUBOTA, Hitoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 福島 章雄 FUKUSHIMA, Akio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 湯浅 新治 YUASA, Shinji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 義茂 SUZUKI, Yoshishige [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 永峰 佳紀 NAGAMINE, Yoshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 前原 大樹 MAEHARA, Hiroki
  • 久保田 均 KUBOTA, Hitoshi
  • 福島 章雄 FUKUSHIMA, Akio
  • 湯浅 新治 YUASA, Shinji
  • 鈴木 義茂 SUZUKI, Yoshishige
  • 永峰 佳紀 NAGAMINE, Yoshinori
代理人
  • 岡部 正夫 OKABE, Masao
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NEGATIVE RESISTOR ELEMENT USING MAGNETORESISTIVE EFFECT
(FR) ELÉMENT À RÉSISTANCE NÉGATIVE UTILISANT UN EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果を用いた負性抵抗素子
要約
(EN)
A negative resistor element including a magnetoresistive element having a free magnetization layer (33), a fixed magnetization layer (31) having magnetic moment larger than that of the free magnetization layer and an intermediate layer (32) provided between the free and fixed magnetization layers. The element is characterized by that it shows negative resistance as changes in a magnetization direction of the free magnetization layer successively take place as voltage applied to the magnetoresistive element rises so that electrons flow from the free magnetization layer.
(FR)
L'invention concerne un élément résistif négatif comprenant un élément magnétorésistif comportant une couche de magnétisation libre (33), une couche de magnétisation fixe (31) ayant un moment magnétique supérieur à celui de la couche de magnétisation libre et une couche intermédiaire (32) prévue entre les couches de magnétisations libre et fixe. L'élément est caractérisé en ce qu'il présente une résistance négative alors que des changements d'une direction de magnétisation de la couche de magnétisation libre ont lieu successivement alors que la tension appliquée à l'élément magnétorésistif augmente de sorte que des électrons circulent à partir de la couche de magnétisation libre.
(JA)
 磁化自由層(33)と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層(31)と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層(32)とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化自由層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電圧の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。
他の公開
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