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1. (WO2009037991) クリーニング方法及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/037991    国際出願番号:    PCT/JP2008/066218
国際公開日: 26.03.2009 国際出願日: 09.09.2008
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANTO DENKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYA, Hironobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEBAYASHI, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAKI, Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAZAKI, Hirohisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUDA, Atsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANIOKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYA, Hironobu; (JP).
TAKEBAYASHI, Yuji; (JP).
SAKAI, Masanori; (JP).
SASAKI, Shinya; (JP).
YAMAZAKI, Hirohisa; (JP).
SUDA, Atsuhiko; (JP).
TANIOKA, Takashi; (JP)
代理人: ARAFUNE, Hiroshi; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F. Nikko Kagurazaka Bldg. 18, Iwatocho, Shinjuku-ku Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2007-242653 19.09.2007 JP
発明の名称: (EN) CLEANING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) クリーニング方法及び基板処理装置
要約: front page image
(EN)Provided is a cleaning method for removing a film adhered inside a processing chamber of a substrate processing apparatus used for forming a desired film on a substrate by supplying a material gas for film formation. The method is provided with a step of supplying a halogen containing gas into the processing chamber, and a step of supplying a fluorine containing gas into the processing chamber while supplying the halogen containing gas, after starting to supply the halogen containing gas. In the step of supplying the fluorine containing gas, a supply flow volume ratio of the halogen containing gas to the entire gas supplied into the processing chamber is within a range of 20-25%.
(FR)L'invention porte sur un procédé de nettoyage pour éliminer un film collé à l'intérieur d'une chambre de traitement d'un appareil de traitement de substrat utilisé pour former un film désiré sur un substrat, par la fourniture d'un matériau gazeux pour la formation du film. Le procédé comporte une étape de fourniture d'un gaz contenant de l'halogène à l'intérieur de la chambre de traitement, et une étape de fourniture d'un gaz contenant du fluor à l'intérieur de la chambre de traitement pendant la fourniture du gaz contenant de l'halogène, après le début de la fourniture du gaz contenant de l'halogène. Dans l'étape de fourniture du gaz contenant du fluor, un rapport de volume d'écoulement de fourniture du gaz contenant de l'halogène à la totalité du gaz fourni à l'intérieur de la chambre de traitement se trouve dans une plage allant de 20 à 25 %.
(JA) 成膜する為の原料ガスを供給して基板上に所望の膜を形成する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、前記処理室内にハロゲン含有ガスを供給する工程と、前記ハロゲン含有ガスの供給を開始後、前記処理室内に前記ハロゲン含有ガスを供給しつつフッ素含有ガスを供給する工程と、を有し、前記フッ素含有ガスを供給する工程では、前記処理室内に供給されるガス全体に対する前記ハロゲン含有ガスの供給流量比を20~25%の範囲内とするクリーニング方法が開示されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)