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1. (WO2009037910) 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、及び磁気抵抗効果素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/037910    国際出願番号:    PCT/JP2008/062296
国際公開日: 26.03.2009 国際出願日: 07.07.2008
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKAMI, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAHARA, Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIWATA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKAMI, Shunsuke; (JP).
SUZUKI, Tetsuhiro; (JP).
NAGAHARA, Kiyokazu; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP).
ISHIWATA, Nobuyuki; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2007-242203 19.09.2007 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ITS WRITING METHOD, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE, SON PROCÉDÉ D'ÉCRITURE, ET ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、及び磁気抵抗効果素子
要約: front page image
(EN)A magnetic random access memory comprises a first ferromagnetic layer (10), an insulating layer (20) provided adjacent to the first ferromagnetic layer (10), a first fixed magnetization layer (30) provided adjacent to the insulating layer (20) and opposite to the first ferromagnetic layer (10). The first ferromagnetic layer (10) includes a free magnetization region (12), a first fixed magnetization region (11a), and a second fixed magnetization region (11b). The free magnetization region (12) has reversible magnetization and overlaps with the second ferromagnetic layer (20). The first fixed magnetization region (11a) has first fixed magnetization and is connected to part of the free magnetization region. The second fixed magnetization region (11b) has second fixed magnetization and is connected to part of the free magnetization region (12). The first ferromagnetic layer (10) has magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the film surface. The first fixed magnetization and the second fixed magnetization are fixed antiparallel to each other in the direction perpendicular to the film surface.
(FR)L'invention concerne une mémoire vive (RAM) magnétique qui comprend une première couche ferromagnétique (10), une couche isolante (20) disposée à côté de la première couche ferromagnétique (10), une première couche à aimantation fixe (30) disposée à côté de la couche isolante (20) et opposée à la première couche ferromagnétique (10). La première couche ferromagnétique (10) comprend une région à aimantation libre (12), une première région à aimantation fixe (11a) et une seconde région à aimantation fixe (11b). La région à aimantation libre (12) a une aimantation inversible et chevauche la seconde couche ferromagnétique (20). La première région à aimantation fixe (11a) a une première aimantation fixe et est connectée à une partie de la région à aimantation libre. La seconde région à aimantation fixe (11b) a une seconde aimantation fixe et est connectée à une partie de la région à aimantation libre (12). La première couche ferromagnétique (10) a une anisotropie magnétique dans une direction perpendiculaire à la surface du film. La première aimantation fixe et la seconde aimantation fixe sont fixes et antiparallèles l'une à l'autre dans la direction perpendiculaire à la surface du film.
(JA)磁気ランダムアクセスメモリは、第1強磁性層10と、第1強磁性層10に隣接して設けられる絶縁層20と、絶縁層20に隣接して第1強磁性層10とは反対側に設けられる第1磁化固定層30とを具備する。第1強磁性層10は、磁化自由領域12と第1磁化固定領域11aと第2磁化固定領域11bとを備える。磁化自由領域12は反転可能な磁化を有し第2強磁性層20とオーバーラップする。第1磁化固定領域11aは第1固定磁化を有し磁化自由領域の一部に接続される。第2磁化固定領域11bは第2固定磁化を有し磁化自由領域12の一部に接続される。第1強磁性層10は膜面垂直方向への磁気異方性を有する。第1固定磁化と第2固定磁化は、膜面垂直方向で、互いに反平行に固定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)