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1. (WO2009037878) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/037878    国際出願番号:    PCT/JP2008/055484
国際公開日: 26.03.2009 国際出願日: 25.03.2008
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MII, Tatsunari [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIUCHI, Hayato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MII, Tatsunari; (JP).
KIUCHI, Hayato; (JP)
代理人: YOSHIDA, Kenji; 34-12, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
優先権情報:
2007-246033 21.09.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRE BONDING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE SOUDAGE DE FIL
(JA) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device has a first layer pressing portion (100) that is formed by crushing a ball neck formed by bonding an initial ball to a first layer pad (14) of a first layer semiconductor die (11) and pressing the side of a wire folded onto the crushed ball neck, a first wire (25) stretched in the direction of a lead (16) from the first layer pressing portion (100), and a second wire (25) that is looped from a second layer pad (15) of a second layer semiconductor die (12) toward the first layer pressing portion (100) and joined to the second layer pad (15) side of the first layer pressing portion (100). Thereby, the connection of wires is performed at a small number of times of bonding, while reducing damages caused on the semiconductor dies.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une partie de pression de première couche (100) qui est formée par écrasement d'un col de bille formé par soudage d'une bille initiale à une plage de première couche (14) d'une puce de semi-conducteur de première couche (11) et pression du côté d'un fil plié sur le col de bille écrasé, un premier fil (25) étiré dans la direction d'une sortie (16) depuis la partie de pression de première couche (100), et un second fil (25) qui est bouclé depuis une plage de seconde couche (15) d'une puce de semi-conducteur de seconde couche (12) vers la partie de pression de première couche (100) et joint au côté plage de seconde couche (15) de la partie de pression de première couche (100). Ainsi, la connexion de fils est effectuée en un petit nombre de soudages, ce qui réduit l'endommagement causé aux puces de semi-conducteur.
(JA) 半導体装置において、イニシャルボールを第一層半導体ダイ(11)の第一層パッド(14)にボンディングして形成されるボールネックを押し潰し、押し潰したボールネック上に折り返したワイヤの側面を押し付けて形成される第一層押し付け部(100)と、第一層押し付け部(100)からリード(16)の方向に向かって伸びる第1ワイヤ(25)と、第二層半導体ダイ(12)の第二層パッド(15)から第一層押し付け部(100)に向かってルーピングされ、第一層押し付け部(100)の第二層パッド(15)側に接合される第2ワイヤ(25)とを有する。これにより、半導体ダイに与えるダメージを低減しつつ少ないボンディング回数でワイヤの接続を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)