WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009037847) 発光素子およびそれを用いた表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/037847    国際出願番号:    PCT/JP2008/002585
国際公開日: 26.03.2009 国際出願日: 19.09.2008
IPC:
H05B 33/14 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIGUCHI, Reiko; (米国のみ).
ONO, Masayuki; (米国のみ).
NASU, Shogo; (米国のみ).
SATOH, Eiichi; (米国のみ).
SHIMAMURA, Takayuki; (米国のみ).
ODAGIRI, Masaru; (米国のみ)
発明者: TANIGUCHI, Reiko; .
ONO, Masayuki; .
NASU, Shogo; .
SATOH, Eiichi; .
SHIMAMURA, Takayuki; .
ODAGIRI, Masaru;
代理人: KAMADA, Koichi; 8th Fl., UMEDA PLAZA BLDG. ANNEX, 4-3-25, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2007-242459 19.09.2007 JP
発明の名称: (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 発光素子およびそれを用いた表示装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a light-emitting device (10) comprising a light-emitting layer (3), and a pair of electrodes (2, 4) for injecting current into the light-emitting layer (3). The light-emitting layer (3) contains a GaN semiconductor particle (7). The GaN semiconductor particle (7) is doped with at least one element (A) selected from group 16 elements and group 14 elements, and at lest one element (B) selected from group 12 elements and group 2 elements. The light-emitting device (10) is capable of emitting light having, for example, a wavelength within the range of 400-650 nm.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent (10) comprenant une couche électroluminescente (3), et une paire d'électrodes (2, 4) pour injecter un courant dans la couche électroluminescente (3). La couche électroluminescente (3) contient une particule de semi-conducteur GaN (7). La particule de semi-conducteur GaN (7) est dopée avec au moins un élément (A) sélectionné parmi des éléments du groupe 16 et des éléments du groupe 14 et avec au moins un élément (B) sélectionné parmi des éléments du groupe 12 et des éléments du groupe 2. Le dispositif électroluminescent (10) peut émettre une lumière ayant, par exemple, une longueur d'onde dans la plage allant de 400 à 650 nm.
(JA) 本発明の発光素子(10)は、発光層(3)と、発光層(3)に電流を注入する一対の電極(2,4)と、を備えている。発光層(3)は、GaN系半導体粒子(7)を含んでいる。GaN系半導体粒子(7)には、16族元素および14族元素から選ばれる少なくとも1種の元素(A)と、12族元素および2族元素から選ばれる少なくとも1種の元素(B)とがドープされている。本発明の発光素子(10)は、例えば波長が400~650nmの範囲内の光を発光できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)