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1. (WO2009037815) 光起電力素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/037815    国際出願番号:    PCT/JP2008/002498
国際公開日: 26.03.2009 国際出願日: 10.09.2008
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP) (米国を除く全ての指定国).
DEGUCHI, Hiroshige [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGATA, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: DEGUCHI, Hiroshige; (JP).
OGATA, Kiyoshi; (JP)
代理人: MATSUYAMA, Takao; Intelix International, Aqua Dojima West 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
優先権情報:
2007-245288 21.09.2007 JP
発明の名称: (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photovoltaic device (10) having a structure wherein a base layer (3), a p-type layer (4), an i-type layer (5), an n-type layer (6) and an electrode (7) are sequentially arranged on a transparent conductive film (2) of a substrate (1). The base layer (3) is made of a p-type poly-Si; the p-type layer (4) is made of a p-type a-Si:H; the i-type layer (5) is made of an i-type a-Si:H; the n-type layer (6) is made of an n-type a-Si:H; and the electrode (7) is made of Al. The base layer (3) and the p-type layer (4) have a film thickness of 10 nm; the i-type layer (5) has a film thickness of 300-1000 nm; and the n-type layer (6) has a film thickness of 20 nm.
(FR)L'invention concerne un dispositif photovoltaïque (10) possédant une structure dans laquelle une couche de base (3), une couche de type p (4), une couche de type i (5), une couche de type n (6) et une électrode (7) sont agencées de manière séquentielle sur un film conducteur transparent (2) d'un substrat (1). La couche de base (3) est composée de poly-Si de type p; la couche de type p (4) est composée d'a-Si:H de type p; la couche de type i (5) est composée d'a-Si:H de type i; la couche de type n (6) est composée d'a-Si:H de type n; et l'électrode (7) est composée d'Al. La couche de base (3) et la couche de type p (4) possèdent une épaisseur de film de 10 nm; la couche de type i (5) possède une épaisseur de film de 300-1000 nm; et la couche de type n (6) possède une épaisseur de film de 20 nm.
(JA)光起電力素子(10)は、下地層(3)、p層(4)、i層(5)、n層(6)および電極(7)を基板(1)の透明導電膜(2)上に順次積層した構造からなる。下地層(3)は、p型poly-Siからなり、p層(4)は、p型a-Si:Hからなり、i層(5)は、i型a-Si:Hからなり、n層(6)は、n型a-Si:Hからなり、電極(7)は、Alからなる。下地層(3)およびp層(4)は、10nmの膜厚を有し、i層(5)は、300~1000nmの膜厚を有し、n層(6)は、20nmの膜厚を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)