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1. (WO2009035087) ケイ素含有微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/035087    国際出願番号:    PCT/JP2008/066556
国際公開日: 19.03.2009 国際出願日: 12.09.2008
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: AZ ELECTRONIC MATERIALS (Japan) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, HR, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
DAMMEL, Ralph. R [US/US]; (US) (米国のみ).
KANG, WenBing [CN/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA, Tomonori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: DAMMEL, Ralph. R; (US).
KANG, WenBing; (JP).
SHIMIZU, Yasuo; (JP).
ISHIKAWA, Tomonori; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
2007-236974 12.09.2007 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FINE PATTERN AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN USING THE SAME
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN MOTIF FIN CONTENANT DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF FIN METTANT EN ŒUVRE UNE TELLE COMPOSITION
(JA) ケイ素含有微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a composition for forming a fine pattern, which enables to form a fine pattern having high dry etching resistance. Also disclosed is a method for forming such a fine pattern. The composition contains a resin containing a repeating unit having a silazane bond, and a solvent. The method for forming a fine pattern comprises a step for processing a resist pattern with such a composition.
(FR)La présente invention concerne une composition pour former un motif fin permettant de former un motif fin présentant une résistance élevée à la gravure par voie sèche. L'invention concerne également un procédé de formation d'un tel motif fin. La composition comporte une résine contenant une unité de répétition comprenant une liaison silazane, et un solvant. Le procédé pour former un motif fin comprend une étape de traitement d'un motif de réserve avec une telle composition.
(JA) 本発明は、ドライエッチング耐性の高い微細パターンを形成させるための微細パターン形成用組成物と、その微細パターンを形成させる方法を提供するものである。この組成物は、シラザン結合を有する繰り返し単位を含んでなる樹脂と、溶剤とを含んでなる。また、本発明による微細パターン形成方法は、その組成物を用いてレジストパターンを処理する工程を含んでなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)