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1. (WO2009034843) 半導体式ガスセンサ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/034843    国際出願番号:    PCT/JP2008/065320
国際公開日: 19.03.2009 国際出願日: 27.08.2008
IPC:
G01N 27/12 (2006.01)
出願人: THE RITSUMEIKAN TRUST [JP/JP]; 1-7, Nishinokyo Toganou-cho, Nakagyou-ku, kyoto-shi, Kyoto 6048520 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HORIBA, Ltd. [JP/JP]; 2, Miyanohigashicho, Kisshoin, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018510 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAMAKI, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKATA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGISHI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAMAKI, Jun; (JP).
NAKATA, Yoshiaki; (JP).
YAMAGISHI, Yutaka; (JP)
代理人: FUJIMOTO, Hideo; Daihatsu Building 5th Floor 2-40, Katamachi 2-chome Miyakojima-ku, Osaka-shi Osaka 5340025 (JP)
優先権情報:
2007-234807 11.09.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR GAS SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体式ガスセンサ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor gas sensor wherein detection sensitivity to a low-concentration gas is remarkably improved and performance as a whole is conspicuously improved by increasing response-recovery speed. A method for manufacturing such semiconductor gas sensor is also provided. The semiconductor gas sensor is provided with a Si substrate (1) having a hollow section (1a) at the center; an insulating film (2) which extends over the substrate (1) to block the hollow section (1a) with a diaphragm structure; a heater (4) formed on the insulating film (2); and a resistance measuring electrode (6) and a gas sensitive film (7) formed on the resistance measuring electrode (6). The gas sensitive film (7) is composed of monoclinic tungsten oxide containing hexagonal tungsten oxide crystal.
(FR)L'invention porte sur un capteur de gaz à semi-conducteur, une sensibilité de détection vis-à-vis d'un gaz à faible concentration étant améliorée de façon remarquable et la performance dans son ensemble étant améliorée de façon notable par accroissement de la vitesse de réponse-récupération. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel capteur de gaz à semi-conducteur. Le capteur de gaz à semi-conducteur comporte un substrat en Si (1) comportant une section creuse (1a) au centre ; un film isolant (2) qui s'étend sur le substrat (1) de façon à boucher la section creuse (1a) avec une structure de diaphragme ; un élément chauffant (4) formé sur le film isolant (2) ; et une électrode de mesure de résistance (6) et un film sensible au gaz (7) formé sur l'électrode de mesure de résistance (6). Le film sensible au gaz (7) est constitué par un cristal d'oxyde de tungstène hexagonal contenant un oxyde de tungstène monoclinique.
(JA) この発明は、低濃度ガスに対する検出感度を著しく増大できるとともに、応答-回復速度を速めて全体性能の顕著な向上を達成できる半導体式ガスセンサ及びその製造方法を提供する。  この発明では、中央部に空洞部1aを有するSi基板1と、この基板1上に前記空洞部1aを遮るように張設されたダイヤフラム構造の絶縁膜2と、この絶縁膜2上に形成されたヒータ4と、抵抗測定用電極6及びその抵抗測定用電極6上に形成されたガス感応膜7とを備えてなる半導体式ガスセンサにおいて、前記ガス感応膜7が、六方晶酸化タングステン結晶を含む単斜晶酸化タングステンからなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)