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1. (WO2009034699) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/034699    国際出願番号:    PCT/JP2008/002458
国際公開日: 19.03.2009 国際出願日: 05.09.2008
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
OKASHITA, Katsumi; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ)
発明者: SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
MIZUNO, Bunji;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2007-234739 10.09.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Plasma doping is performed by implanting boron (51) into a supporting substrate (11) by exposing the supporting substrate (11) composed of a semiconductor to plasma, which is composed of a gas wherein the boron (51), i.e., an impurity, and hydrogen (52) and helium (53), which are dilution, are mixed. Then, by using a difference between the thermal diffusion coefficient of the boron (51) and that of the hydrogen (52) and helium (53) in the supporting substrate (11), preheating step of heating the supporting substrate (11) is performed so that the dose quantities of the hydrogen (52) and the helium (53) are smaller than that of the boron (51) in the supporting substrate (11). Then, laser heating step for electrically activating the boron (51) implanted into the supporting substrate (11) is performed by using a laser.
(FR)Le dopage par plasma est réalisé en implantant du bore (51) dans un substrat de support (11) par exposition de ce substrat de support (11), composé d'un semi-conducteur, au plasma, composé d'un gaz, le bore (51), c'est-à-dire une impureté, étant mélangé avec de l'hydrogène (52) et de l'hélium (53), qui sont de dilution. Ensuite, en utilisant la différence entre le coefficient de diffusion thermique du bore (51) et celui de l'hydrogène (52) et de l'hélium (53) dans le substrat de support (11), une étape de préchauffage consistant à chauffer le substrat de support (11) est exécutée de façon à ce que les doses d'hydrogène (52) et d'hélium (53) soient inférieures à celles du bore (51) dans le substrat de support (11). Ensuite, une étape de chauffage par laser permettant d'activer électriquement le bore (51) implanté dans le substrat de support (11) est exécutée au moyen d'un laser.
(JA) 不純物であるボロン51と希釈物である水素52及びヘリウム53とを混合したガスからなるプラズマに、半導体からなる支持基板11を曝すことによって支持基板11中にボロン51を注入するプラズマドーピングを実施する。その後、支持基板11中におけるボロン51の熱拡散係数と水素52及びヘリウム53の熱拡散係数との差を利用して、支持基板11中において水素52及びヘリウム53のドーズ量がボロン51のドーズ量よりも小さくなるように、支持基板11を加熱する予備加熱工程を実施する。その後、支持基板11中に注入されたボロン51をレーザーを用いて電気的に活性化させるレーザー加熱工程を実施する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)