WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009034623) 固体撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/034623    国際出願番号:    PCT/JP2007/067732
国際公開日: 19.03.2009 国際出願日: 12.09.2007
予備審査請求日:    01.04.2008    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
出願人: Unisantis Electronics (Japan) Ltd. [JP/JP]; 2F, Fujilight Shinkawa Bldg., 1-22-11, Shinkawa, Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MASUOKA, Fujio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MASUOKA, Fujio; (JP).
NAKAMURA, Hiroki; (JP)
代理人: KUMAKURA, Yoshio; NAKAMURA & PARTNERS, Shin-Tokyo Bldg. 3-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008355 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子
要約: front page image
(EN)There is provided a CMOS image sensor with the high integration of pixels. In a solid-state image sensor, a signal line (256) is formed on a Si substrate, and an island-like semiconductor is formed on the signal line. The island-like semiconductor includes is provided with a first semiconductor layer (252) connected to the signal line; a second semiconductor layer (251) adjacent to the upper side of the first semiconductor layer; a gate (253) connected to the second semiconductor layer through an insulation film; a charge storage section connected to the second semiconductor layer and composed of a third semiconductor layer (254) changing the quantity of electric charges when receiving light; and a fourth semiconductor layer (250) adjacent to the upper side of the second semiconductor layer and the third semiconductor layer. A pixel selection line (255) connected to the fourth semiconductor layer at the upper part of the island-like semiconductor is formed.
(FR)L'invention propose un capteur d'image CMOS ayant une haute intégration de pixels. Dans un capteur d'image à semi-conducteur, une ligne de signal (256) est formée sur un substrat Si, et un semi-conducteur de type îlot est formé sur la ligne de signal. Le semi-conducteur de type îlot comprend une première couche semi-conductrice (252) connectée à la ligne de signal ; une seconde couche semi-conductrice (251) adjacente au côté supérieur de la première couche semi-conductrice ; une grille (253) connectée à la seconde couche semi-conductrice par l'intermédiaire d'un film isolant ; une section de stockage de charges connectée à la seconde couche semi-conductrice et composée d'une troisième couche semi-conductrice (254) changeant la quantité de charges électriques lorsqu'elle reçoit de la lumière ; et une quatrième couche semi-conductrice (250) adjacente au côté supérieur de la seconde couche semi-conductrice et de la troisième couche semi-conductrice. Une ligne de sélection de pixel (255) connectée à la quatrième couche semi-conductrice au niveau de la partie supérieure du semi-conducteur de type îlot est formée.
(JA) 画素の高集積なCMOSイメージセンサを提供する。 固体撮像素子は、Si基板上に信号線(256)が形成され、信号線の上に島状半導体が形成される。島状半導体は、信号線に接続された第1の半導体層(252)と、第1の半導体層の上側に隣接する第2の半導体層(251)と、第2の半導体層に絶縁膜を介して接続されたゲート(253)と、第2の半導体層に接続され、受光すると電荷量が変化する第3の半導体層(254)からなる電荷蓄積部と、第2の半導体層と前記第3の半導体層の上側に隣接する第4の半導体層(250)と、を備える。島状半導体上部の前記第4の半導体層に接続する画素選択線(255)が形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)