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1. (WO2009034596) ケイ素含有被膜の製造方法、ケイ素含有被膜および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/034596    国際出願番号:    PCT/JP2007/000981
国際公開日: 19.03.2009 国際出願日: 10.09.2007
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIKAWA, Kouta [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKATA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IMADA, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OZAKI, Shirou [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Yasushi; (JP).
YOSHIKAWA, Kouta; (JP).
NAKATA, Yoshihiro; (JP).
IMADA, Tadahiro; (JP).
OZAKI, Shirou; (JP)
代理人: DOI, Kenji; Hayashi, Doi & Associates 3rd Floor, Toshou-Bldg. No.3, 3-9-5, Shin-yokohama, Kohoku-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SILICIC COATING, SILICIC COATING AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN REVÊTEMENT SILICIQUE, REVÊTEMENT SILICIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ケイ素含有被膜の製造方法、ケイ素含有被膜および半導体装置
要約: front page image
(EN)A silicic coating of 2.4 g/cm3 or higher density, obtained by forming a silicic coating precursor with the use of at least one type of silane compound having a photosensitive functional group and thereafter irradiating the silicic coating precursor with at least one type of light. This silicic coating can be used as a novel barrier film or stopper film for semiconductor device.
(FR)L'invention concerne un revêtement silicique d'une masse volumique d'au moins 2,4 g/cm3, obtenu par formation d'un précurseur de revêtement silicique avec au moins un type de composé silane ayant un groupe fonctionnel photosensible puis en irradiant le précurseur de revêtement silicique avec au moins un type de lumière. Ce revêtement silicique peut être utilisé en tant que nouveau film barrière ou film d'arrêt pour dispositif semi-conducteur.
(JA) 本発明に係るケイ素含有被膜は、密度が2.4g/cm以上のケイ素含有被膜であって、感光性官能基を有する少なくとも一種類のシラン系化合物を用いてケイ素含有被膜前駆体を形成し、その後に少なくとも一種類の光をこのケイ素含有被膜前駆体に照射することで得られる。本発明に係るケイ素含有被膜は、新規な半導体装置用のバリア膜やストッパ膜として使用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)