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1. (WO2009032488) IMPROVED LOW K POROUS SICOH DIELECTRIC AND INTEGRATION WITH POST FILM FORMATION TREATMENT
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/032488    国際出願番号:    PCT/US2008/072955
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 13.08.2008
IPC:
H01L 21/70 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01)
出願人: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (米国を除く全ての指定国).
GATES, Stephen M. [US/US]; (US) (米国のみ).
GRILL, Alfred [US/US]; (US) (米国のみ).
NGUYEN, Son [US/US]; (US) (米国のみ).
NITTA, Satyanarayana V. [IN/US]; (US) (米国のみ).
SHAW, Thomas M. [GB/US]; (US) (米国のみ)
発明者: GATES, Stephen M.; (US).
GRILL, Alfred; (US).
NGUYEN, Son; (US).
NITTA, Satyanarayana V.; (US).
SHAW, Thomas M.; (US)
代理人: GROLZ, Edward W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, PC, 400 Garden City Plaza, Suite 300, Garden City, New York 11530 (US)
優先権情報:
11/846,182 28.08.2007 US
11/846,250 28.08.2007 US
発明の名称: (EN) IMPROVED LOW K POROUS SICOH DIELECTRIC AND INTEGRATION WITH POST FILM FORMATION TREATMENT
(FR) DIÉLECTRIQUE EN SICOH POREUX À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE AMÉLIORÉ ET INTÉGRATION AVEC TRAITEMENT POST-FORMATION DE FILM
要約: front page image
(EN)A porous SiCOH (e.g., p-SiCOH) dielectric film in which the stress change caused by increased tetrahedral strain is minimized by post treatment in unsaturated Hydrocarbon ambient. The inventive p-SiCOH dielectric film has more -(CHx) and less Si-O-H and Si-H bondings as compared to prior art p-SiCOH dielectric films. Moreover, a stable pSiOCH dielectric film is provided in which the amount of Si-OH (silanol) and Si-H groups at least within the pores has been reduced by about 90 % or less by the post treatment. Hence, the inventive p-SiCOH dielectric film has hydrophobicity improvement as compared with prior art p-SiCOH dielectric films. In the present invention, a p-SiCOH dielectric film is produced that is flexible since the pores of the inventive film include stabilized crosslinking -(CHx)- chains wherein x is 1,2 or 3 therein. The dielectric film is produced utilizing an annealing step subsequent deposition that includes a gaseous ambient that includes at least one C-C double bond and/or at least one C-C triple bond.
(FR)L'invention concerne un film diélectrique en SiCOH (par exemple, p-SiCOH) poreux dans lequel la variation de contrainte provoquée par une déformation tétraédrique accrue est minimisée par un post-traitement dans une ambiance d'hydrocarbure insaturé. Le film diélectrique en p-SiCOH de l'invention comporte plus de liaisons -(CHx) et moins de liaisons Si-O-H et Si-H par rapport aux films diélectriques en p-SiCOH de la technique actuelle. En outre, l'invention concerne un film diélectrique en pSiOCH stable dans lequel la quantité de groupes Si-OH (silanol) et Si-H au moins à l'intérieur des pores a été réduite d'environ 90 % ou moins par le post-traitement. Le film diélectrique en p-SiCOH de l'invention présente donc une amélioration de son hydrophobicité par rapport aux films diélectriques en p-SiCOH de la technique actuelle. Dans la présente invention, un film diélectrique en p-SiCOH est produit qui est flexible puisque les pores du film de l'invention comprennent des chaînes de réticulation -(CHx)-stabilisées, où x vaut 1, 2 ou 3. Le film diélectrique est produit à la suite d'un recuit après dépôt qui comprend un gaz ambiant contenant au moins une double liaison C-C et/ou au moins une triple liaison C-C.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: English (EN)
国際出願言語: English (EN)