WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009031584) 深紫外半導体光デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031584    国際出願番号:    PCT/JP2008/065887
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 03.09.2008
予備審査請求日:    25.03.2009    
IPC:
H01J 63/04 (2006.01), H01J 29/20 (2006.01), H01J 31/12 (2006.01), H01J 63/06 (2006.01)
出願人: National University Corporation KOBE University [JP/JP]; 1-1, Rokkodai-cho, Nada-ku, Kobe-shi, Hyogo 6578501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KITA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KITA, Takashi; (JP)
代理人: The Patentcorporate body Global Intellectual Property; Floor 3, Shinmeikai Bldg., 4-banchi, Kaigandori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500024 (JP)
優先権情報:
2007-228388 03.09.2007 JP
発明の名称: (EN) DEEP ULTRAVIOLET SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR À ULTRAVIOLET PROFOND
(JA) 深紫外半導体光デバイス
要約: front page image
(EN)A large-area and high-luminance deep ultraviolet light source device is provided under circumstances where the scales of existing mercury lamps used as ultraviolet light sources cannot be reduced and light-emitting diodes of 365 nm or less do not reach the practical level. The deep ultraviolet light source device comprises at least an anode substrate having an ultraviolet phosphor thin film doped with rare-earth metal ions such as gadolinium (Gd) ions and containing with aluminum nitride as the host material, a cathode substrate having a field electron emission material thin film, a spacer for holding the anode substrate and the cathode substrate opposite to each other and maintaining the space between the substrates in a vacuum atmosphere, and a voltage circuit for applying an electric field to the space between the anode substrate and the cathode substrate. Light is emitted by injecting electrons from the field electron emission material thin film into the ultraviolet phosphor thin film by applying the electric field to the space between the substrates and maintaining the space between the anode substrate and the cathode substrate as a vacuum channel region.
(FR)L'invention concerne un dispositif de source de lumière ultraviolette profonde, à grande superficie et à luminance élevée, dans des circonstances où les échelles de lampes à mercure existantes utilisées en tant que sources de lumière ultraviolette ne peuvent pas être réduites et les diodes électroluminescentes de 365 nm ou moins n'atteignent pas le niveau pratique. Le dispositif de source de lumière ultraviolette profonde comprend au moins un substrat d'anode ayant une mince couche de luminophore ultraviolet dopée avec des ions de métal des terres rares tels que des ions gadolinium (Gd) et contenant du nitrure d'aluminium en tant que matériau hôte, un substrat de cathode ayant une mince couche de matériau à émission d'électrons par effet de champ, une pièce d'écartement pour tenir le substrat d'anode et le substrat de cathode l'un en face de l'autre et maintenir l'espace entre les substrats dans une atmosphère de vide, et un circuit de tension pour appliquer un champ électrique à l'espace entre le substrat d'anode et le substrat de cathode. De la lumière est émise par injection d'électrons provenant de la mince couche de matériau à émission d'électrons par effet de champ dans la mince couche de luminophore ultraviolet par application du champ électrique à l'espace entre les substrats et maintien de l'espace entre le substrat d'anode et le substrat de cathode en tant que région de canal sous vide.
(JA)紫外光源として利用されている現在の水銀ランプは小型化できず、また発光ダイオードも365nm以下は実用レベルにない状況下、大面積高輝度の深紫外光源デバイスを提供する。 窒化アルミニウムをホスト材料としてガドリニウム(Gd)等の希土類金属イオンを添加した紫外蛍光体薄膜を有するアノード基板と、電界電子放出材料薄膜を有するカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板の間に電界を印加させる電圧回路とを少なくとも有し、アノード基板とカソード基板の間の空隙を真空チャネル領域とし、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を紫外蛍光体薄膜に注入させて発光させる。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)