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1. (WO2009031522) 半導体素子およびその製造方法、ならびにその半導体素子を実装する実装構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031522    国際出願番号:    PCT/JP2008/065739
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 02.09.2008
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATO, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMOAKA, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATO, Kenichi; (JP).
SHIMOAKA, Yoshio; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2007-228486 04.09.2007 JP
2007-281252 30.10.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND MOUNTING STRUCTURE HAVING SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTED THEREON
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ET STRUCTURE DE MONTAGE AYANT UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR MONTÉ SUR ELLE
(JA) 半導体素子およびその製造方法、ならびにその半導体素子を実装する実装構造体
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor element which excels in both mechanical reliability and electrical reliability. A structure having such semiconductor element mounted thereon is also provided. The semiconductor element is provided with a substrate; a conductive layer arranged on the substrate; a protection layer having an opening section arranged on the conductive layer; a barrier metal layer bonded on the conductive layer at the opening section; and a conductive bump formed on the barrier metal layer. The barrier metal layer contains phosphorus, and includes a phosphorus-rich portion where the phosphorus content is higher than that at other portion. The phosphorus-rich portion is positioned on the surface on the conductive bump side, and has a thickness at the periphery of the conductive bump forming region more than that of the center portion of the forming region.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur excellent à la fois en termes de fiabilité mécanique et de fiabilité électrique. L'invention concerne aussi une structure ayant un tel élément semi-conducteur monté sur elle. L'élément semi-conducteur comprend un substrat ; une couche conductrice disposée sur le substrat ; une couche de protection ayant une section d'ouverture disposée sur la couche conductrice ; une couche métallique barrière liée à la couche conductrice au niveau de la section d'ouverture ; et une bosse conductrice formée sur la couche métallique barrière. La couche métallique barrière contient du phosphore, et comprend une partie riche en phosphore où la teneur en phosphore est plus élevée qu'au niveau d'une autre partie. La partie riche en phosphore est placée sur la surface du côté de la bosse conductrice, et a une épaisseur au niveau de la périphérie de la région de formation de bosse conductrice supérieure à celle de la partie centrale de la région de formation.
(JA) 機械的な信頼性および電気的な信頼性の両方に優れた半導体素子および該半導体素子の実装構造体を提供する。  その半導体素子は、基板と、基板上に設けられた導電層と、導電層上に設けられた開口部を有する保護層と、開口部において導電層に接合されたバリアメタル層と、バリアメタル層上に形成された導電性バンプとを有している。このバリアメタル層は、リンを含有しており、かつ該リン含有率が他の部分より大きいリンリッチ部位を含んでいる。このリンリッチ部位は、導電性バンプ側の表面部に位置し、かつ導電性バンプの形成領域の周縁部における厚さが当該形成領域の中央部における厚さより大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)