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1. (WO2009031520) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031520    国際出願番号:    PCT/JP2008/065729
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 02.09.2008
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KISHIMOTO, Katsushi; (米国のみ).
FUKUOKA, Yusuke; (米国のみ)
発明者: KISHIMOTO, Katsushi; .
FUKUOKA, Yusuke;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2007-228802 04.09.2007 JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT APPARATUS, PLASMA TREATMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびに半導体素子
要約: front page image
(EN)In the chamber (1) of a plasma treatment apparatus (50), a cathode electrode (2) and an anode electrode (3) are arranged at an interval. The cathode electrode (2) is supplied with an electric power from a power supply unit (4). The anode electrode (3) is electrically earthed to the ground, and is equipped with a substrate (7). The anode electrode (3) has a heater (21) mounted therein. The chamber (1) has an exhaust port (19a) formed in its upper wall portion and connected via an exhaust pipe (20a) to a vacuum pump (20b). A gas inlet port (10) is formed in the lower portion of the wall face of the chamber (1). A gas supply unit (8) is disposed outside of the chamber (1).
(FR)Dans la chambre (1) d'un appareil de traitement par plasma (50) une électrode de cathode (2) et une électrode d'anode (3) sont disposées à un intervalle. L'électrode de cathode (2) est alimentée en puissance électrique provenant d'une unité d'alimentation électrique (4). L'électrode d'anode (3) est électriquement mise à la terre, et est équipée avec un substrat (7). L'électrode d'anode (3) a un réchauffeur (21) monté en son sein. La chambre (1) a un orifice d'échappement (19a) formé dans sa partie de paroi supérieure et connecté par un tuyau d'échappement (20a) à une pompe à vide (20b). Un orifice d'entrée de gaz (10) est formé dans la partie inférieure de la face de paroi de la chambre (1). Une unité d'alimentation en gaz (8) est disposée à l'extérieur de la chambre (1).
(JA) プラズマ処理装置(50)のチャンバー(1)内には、カソード電極(2)とアノード電極(3)とが間隔を隔てて配設されている。カソード電極(2)に電力供給部(4)から電力が供給される。アノード電極(3)は電気的に接地されて、基板(7)が設置される。アノード電極(3)には、ヒータ(21)が内蔵されている。チャンバー(1)の上壁部には排気口(19a)が設けられて、排気管(20a)を介して真空ポンプ(20b)に接続されている。チャンバー(1)の壁面の下壁部にはガス導入口(10)が設けられている。チャンバー(1)の外には、ガス供給部(8)が設けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)