WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009031434) 有機半導体化合物の単結晶薄膜及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031434    国際出願番号:    PCT/JP2008/065165
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 26.08.2008
IPC:
H01L 21/368 (2006.01), C30B 29/54 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (米国を除く全ての指定国).
The University of Tokyo [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATO, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IGARASHI, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMADA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHII, Yui [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATO, Takashi; (JP).
IGARASHI, Tatsuya; (JP).
SHIMADA, Toshihiro; (JP).
ISHII, Yui; (JP)
代理人: IIDA, Toshizo; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
優先権情報:
2007-228390 03.09.2007 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL THIN FILM OF ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE DE COMPOSÉ SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 有機半導体化合物の単結晶薄膜及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a single crystal thin film of an organic semiconductor compound, which comprises a step for forming a liquid film (9) on a substrate (2) by coating the substrate (2) with an organic solvent having a dielectric constant of not less than 4.5 in which solvent an organic semiconductor compound can be dissolved, a step for supplying and dissolving the organic semiconductor compound into the liquid film (9), and a step for crystallizing the organic semiconductor compound in the organic solvent.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une couche mince monocristalline d'un composé semi-conducteur organique, qui comprend une étape de formation d'un film liquide (9) sur un substrat (2) par revêtement du substrat (2) avec un solvant organique ayant une constante diélectrique non inférieure à 4,5, solvant dans lequel un composé semi-conducteur organique peut être dissous, une étape pour amener et dissoudre le composé semi-conducteur organique dans le film liquide (9), et une étape de cristallisation du composé semi-conducteur organique dans le solvant organique.
(JA) 本発明は、誘電率が4.5以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を、基板(2)上に塗布して液膜(9)を形成する工程、前記液膜(9)に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程、および前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程を含む、有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法に関するものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)