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1. (WO2009031365) シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031365    国際出願番号:    PCT/JP2008/062899
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 17.07.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/36 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKASE, Nobumitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKASE, Nobumitsu; (JP)
代理人: SUDA, Masayoshi; OAK Ikebukuro Bldg., 21-11, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2007-232233 07.09.2007 JP
発明の名称: (EN) SEED CRYSTAL FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL BY USING THE SEED CRYSTAL
(FR) GERME CRISTALLIN POUR LE TIRAGE D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CE DERNIER AU MOYEN DU GERME CRISTALLIN
(JA) シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a seed crystal for pulling a silicon single crystal. By the method, generation of slip displacement due to thermal shock generated when the seed crystal is brought into contact with a silicon melt is reduced, propagation of such slip displacement is suppressed and the displacement is eliminated even the diameter of a neck portion is larger than that of conventional ones. The improved seed crystal is provided for pulling a silicon single crystal by CZ method. The seed crystal is cut from a silicon single crystal pulled from a carbon-doped silicon melt. The concentration ratio of the doped carbon is 5x1015-5x1017 atoms/cm3.
(FR)L'invention concerne un germe cristallin permettant de tirer un monocristal de silicium. Selon ce procédé, la génération d'un déplacement par glissement dû au choc thermique généré lorsque le germe cristallin est amené au contact d'un bain de silicium fondu est réduite, la propagation de ce déplacement par glissement est supprimée et le déplacement est éliminé même lorsque le diamètre d'une partie en goulot est supérieur au diamètre de celles habituellement rencontrées. Le germe cristallin amélioré est prévu pour le tirage d'un monocristal de silicium par le procédé Czochralski (CZ). Le germe cristallin est découpé dans un monocristal de silicium tiré à partir d'un bain de silicium dopé au carbone fondu. Le rapport de concentration du carbone dopé est de 5x1015-5x1017 atomes/cm3.
(JA) シリコン融液への接触時に発生する熱衝撃によるスリップ転位の発生を低減させ、かつ、このスリップ転位の伝播を抑制し、ネック部の直径が従来よりも太い径でも無転位化が可能な、シリコン単結晶引上げ用種結晶を提供する。  本発明のシリコン単結晶引上げ用種結晶は、CZ法によるシリコン単結晶の引上げに使用される種結晶の改良であり、その特徴ある構成は、種結晶が炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出されたものであって、ドープされている炭素の濃度が5×1015~5×1017atoms/cm3の割合であるところにある。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)