WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009031270) ウエハ再生方法およびウエハ再生装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031270    国際出願番号:    PCT/JP2008/002285
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 25.08.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKITA, Shogo; (米国のみ).
SUGAHARA, Gaku; (米国のみ).
SUZUKI, Hiroyuki; (米国のみ).
HOUCHIN, Ryuzou; (米国のみ).
HIROSHIMA, Mitsuru; (米国のみ)
発明者: OKITA, Shogo; .
SUGAHARA, Gaku; .
SUZUKI, Hiroyuki; .
HOUCHIN, Ryuzou; .
HIROSHIMA, Mitsuru;
代理人: HARADA, Yohei; OX Nishihonmachi Bldg. 4th Floor 10-10, Nishi-Hommachi 1-chome Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500005 (JP)
優先権情報:
2007-228387 03.09.2007 JP
2008-133711 22.05.2008 JP
発明の名称: (EN) WAFER RECLAMATION METHOD AND WAFER RECLAMATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE TRANCHE ET APPAREIL DE RÉCUPÉRATION DE TRANCHE
(JA) ウエハ再生方法およびウエハ再生装置
要約: front page image
(EN)Provided is a wafer reclamation method for reclaiming a semiconductor wafer (200) having a different material layer (210) on the surface by removing the different material layer (210). The wafer reclamation method includes a physically removing step of physically removing the different material layer (210); a film forming step of forming a film (220) on the surface from which the different material layer (210) is removed in the physically removing step; and a dry etching step of etching the semiconductor wafer (200) by plasma together with the film (220) formed in the film forming step.
(FR)L'invention propose un procédé de récupération de tranche pour récupérer une tranche semi-conductrice (200) ayant une couche de matériau différent (210) sur la surface par l'élimination de la couche de matériau différent (210). Le procédé de récupération de tranche comprend une étape d'élimination physique consistant à éliminer physiquement la couche de matériau différent (210) ; une étape de fabrication de film consistant à former un film (220) sur la surface de laquelle la couche de matériau différent (210) a été éliminée dans l'étape d'élimination physique ; et une étape de gravure à sec consistant à graver la tranche semi-conductrice (200) par plasma conjointement avec le film (220) formé dans l'étape de fabrication de film.
(JA) 表面に他物質層210が形成された半導体ウエハ200を、前記他物質層210を除去し再生するウエハ再生方法であって、前記他物質層210を物理的に除去する物理的除去ステップと、前記物理的除去ステップにより他物質層210が除去された面に膜220を形成する膜形成ステップと、前記膜形成ステップにより形成された膜220と共に半導体ウエハ200をプラズマによりエッチングするドライエッチングステップとを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)