WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2009031259) 薄膜トランジスタ基板の製造方法、製造プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031259    国際出願番号:    PCT/JP2008/001788
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 04.07.2008
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKI, Ichirou; (米国のみ)
発明者: OKI, Ichirou;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2007-227784 03.09.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, PRODUCTION PROGRAM AND RECORDING MEDIUM WITH THE PROGRAM RECORDED THEREON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, PROGRAMME DE FABRICATION ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT AVEC LE PROGRAMME ENREGISTRÉ SUR CELUI-CI
(JA) 薄膜トランジスタ基板の製造方法、製造プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体
要約: front page image
(EN)At first, the gap length distribution G in a plurality of substrates to be processed on which a TFT is formed, and the corresponding resist thickness distribution H are measured, and linear approximate expressions G(t)=A•t+g and H(t)=B(100-t)+h are formed based on the cumulative distribution function of the channel length distribution G and the resist thickness distribution H in each substrates to be processed. Subsequently, the values of A/B and C=g+100•h+A•h/B are calculated, respectively, based on the A and g in the approximate expression G(t) and the B and h in the approximate expression H(t) of each substrates to be processed. Thereafter, a relation C(T)=D•T+E is formed based on the ashing time T and the value of C of each substrates to be processed. Furthermore, the resist thickness distribution Ha of the substrates to be processed is measured and the gap length distribution Gp of the substrate to be processed is predicted from a relation Gp=A/B•Ha+D•T+E.
(FR)Tout d'abord, la distribution de longueur d'espace G dans une pluralité de substrats devant être traités sur lesquels un transistor en couches minces (TFT) est formé et la distribution d'épaisseur de réserve correspondante H sont mesurées, et des expressions approximatives linéaires G(t) = A•t + g et H(t) = B(100 - t) + h sont formées sur la base de la fonction de distribution cumulée de la distribution de longueur de canal G et de la distribution d'épaisseur de réserve H dans chacun des substrats devant être traités. Ultérieurement, les valeurs de A/B et C = g + 100•h + A•h/B sont calculées, respectivement, sur la base de A et g dans l'expression approximée G(t) et de B et h dans l'expression approximée H(t) de chacun des substrats devant être traités. Ensuite, une relation C(T) = D•T + E est formée sur la base du temps de calcination T et la valeur de C de chacun des substrats devant être traités. De plus, la distribution d'épaisseur de réserve Ha des substrats devant être traités est mesurée et la distribution de longueur d'espace Gp du substrat devant être traité est prédite à partir d'une relation Gp = A/B•Ha + D•T + E.
(JA) まず、TFTが形成された複数の被処理基板におけるギャップ長分布Gとそれに対応するレジスト厚分布Hとを測定して、各被処理基板におけるチャネル長分布G及びレジスト厚分布Hの累積分布関数に基づく一次近似式G(t)=A・t+g及びH(t)=B(100-t)+hを作成し、続いて、各被処理基板の近似式G(t)のA及びg、並びに近似式H(t)のB及びhに基づいて、A/B及びC=g+100・h+A・h/Bの値をそれぞれ算出し、その後、各被処理基板のアッシング時間T及びCの値に基づいて、関係式C(T)=D・T+Eを作成し、さらに、被予測基板のレジスト厚分布Haを測定して、関係式Gp=A/B・Ha+D・T+Eにより被予測基板のギャップ長分布Gpを予測する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)