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1. (WO2009031206) 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/031206    国際出願番号:    PCT/JP2007/067231
国際公開日: 12.03.2009 国際出願日: 04.09.2007
IPC:
H01S 5/16 (2006.01)
出願人: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIGUCHI, Hidehiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHII, Hirotatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAMEGAYA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANIGUCHI, Hidehiro; (JP).
ISHII, Hirotatsu; (JP).
NAMEGAYA, Takeshi; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor laser element (1) comprising a window region (23) including a mixed crystal portion formed by the diffusion of III-group vacancies, and a non-window region (24) having an active layer (15) of a quantum well structure. A promoting film for promoting the diffusion of the III-group vacancies by absorbing predetermined atoms is formed over the window region (23) thereby to form the mixed crystal portion. The semiconductor laser element (1) is characterized in that the layer near the active layer (15) is doped with an impurity for substituting a V-group site preferentially so that the difference between the energy band gap in the window region and the energy band gap in the non-window region is 50 meV or more.
(FR)L'invention concerne un élément de laser à semi-conducteur (1) comprenant une région fenêtre (23) comprenant une partie cristalline mélangée formée par la diffusion de lacunes du groupe III et une région non fenêtre (24) ayant une couche active (15) ayant une structure de puits quantiques. Un film promoteur servant à faciliter la diffusion des lacunes du groupe III par absorption d'atomes prédéterminés est formé par-dessus la région fenêtre (23) ce qui forme de cette manière la partie cristalline mélangée. L'élément de laser à semi-conducteur (1) est caractérisé en ce que la couche près de la couche active (15) est dopée avec une impureté servant à remplacer un site du groupe V préférentiellement afin que la différence entre la bande interdite d'énergie dans la région fenêtre et la bande interdite d'énergie dans la région non fenêtre soit supérieure ou égale à 50 meV.
(JA) 本発明にかかる半導体レーザ素子1は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域23と、量子井戸構造の活性層15を有する非窓領域24とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域23上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層15の近傍側の層にV族サイトを優先的に置換する不純物がドーピングされ、窓領域におけるエネルギーバンドギャップと非窓領域におけるエネルギーバンドギャップとの差が50meV以上であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)