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1. (WO2009028620) 有機エレクトロルミネッセンス素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028620    国際出願番号:    PCT/JP2008/065431
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 28.08.2008
IPC:
H05B 33/24 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01)
出願人: PANASONIC ELECTRIC WORKS CO., LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IDE, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANA, Masahito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUJI, Hiroya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITO, Norihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MITSUTAKE, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAKI, Takeyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IDE, Nobuhiro; (JP).
YAMANA, Masahito; (JP).
TSUJI, Hiroya; (JP).
ITO, Norihiro; (JP).
MITSUTAKE, Yoshio; (JP).
NAKAMURA, Masahiro; (JP).
YAMAKI, Takeyuki; (JP)
代理人: NISHIKAWA, Yoshikiyo; Hokuto Patent Attorneys Office Umeda Square Bldg. 9F 12-17, Umeda 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300001 (JP)
優先権情報:
2007-221845 28.08.2007 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機エレクトロルミネッセンス素子
要約: front page image
(EN)An organic electroluminescence device exhibiting a good luminescent characteristic since a light scattering region is formed on a light-transmitting substrate. The distance d between the luminous point in a luminous layer (3) and a light-reflective electrode (2) is expressed by the equation below. (1) λ is the wavelength of when the product of the spectrum radiant flux of the photoluminescence spectrum of the light emitted from the luminous layer (3) and the CIE standard ratio luminosity or the quotient of when the spectral radiant flux is divided by the photon energy at each wavelength takes on a maximum value,n is the index of refraction to the light with the wavelength λ of the layer between the luminous point and the light reflective electrode (2), n1 and k1 are the index of refraction and the extinction coefficient, respectively, to the light with the wavelength λ of the layer in contact with the light reflective electrode (2) between the luminous point and the light reflective electrode (2), n2 and k2 are the index of refraction and the extinction coefficient, respectively, to the light with the wavelength λ of the light reflective electrode (2), a is a number satisfying the relation 1.28<a≤-5.56×norg/nEML+7.74, norg is the index of refraction to the light with the wavelength λ of the layer in contact with the luminous layer (3) between the luminous point and the light reflective layer (3), and nETL is the index of refraction to the light with the wavelength λ of the luminous layer (3).
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique faisant preuve de bonnes caractéristiques de luminescence étant donné qu'une région à diffusion de lumière est formée sur un substrat transmettant la lumière. La distance d entre le point lumineux dans une couche lumineuse (3) et une électrode photo-réfléchissante (2) est exprimée par l'équation ci-dessous. Dans cette équation, (1) et λ est la longueur d'ondes à l'instant où le produit du flux radiant du spectre du spectre de photoluminescence de la lumière émise depuis la couche lumineuse (3) et la luminosité selon le rapport standard CIE ou le quotient à l'instant où le flux radiant spectral est divisé par l'énergie photonique à chaque longueur d'ondes prend une valeur maximale, n est l'indice de réfraction par rapport à la lumière de longueur d'ondes λ de la couche entre le point lumineux et l'électrode photo-réfléchissante (2), n1 et k1 sont respectivement l'indice de réfraction et le coefficientd'extinction par rapport à la lumière de longueur d'ondes λ de la couche en contact avec l'électrode photo-réfléchissante (2) entre le point lumineux et l'électrode photo-réfléchissante (2), n2 et k2 sont respectivement l'indice de réfraction et le coefficient d'extinction par rapport à la lumière de longueur d'ondes λ de l'électrode photo-réfléchissante (2), a est un nombre tel que 1,28<a≤-5,56×norg/nEML+7,74, norg est l'indice de réfraction par rapport à la lumière de longueur d'ondes λ de la couche en contact avec la couche lumineuse entre le point lumineux et la couche photo-réfléchissante (2), et nETL est l'indice de réfraction par rapport à la lumière de longueur d'ondes λ de la couche lumineuse (3).
(JA) 光透過性の基板に光散乱領域を形成した際に良好な発光特性を発揮する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。発光層3における発光点と光反射性電極2との間の距離dが下記式で示される。 (1) λは、発光層3から放射される光のフォトルミネッセンススペクトルの分光放射束とCIE標準比視感度との積、あるいは分光放射束を各波長におけるフォトンエネルギーで除した商が極大となるときの波長 nは発光点と光反射性電極2の間の層の波長λでの屈折率 n1、k1は発光点と光反射性電極2の間で光反射性電極2に接する層の波長λでの屈折率と消衰係数 n2、k2は光反射性電極2の波長λでの屈折率と消衰係数 aは1.28<a≦-5.56×norg/nEML+7.74の関係を満たす数。 norgは発光点と光反射性電極2の間で発光層3に接する層の波長λでの屈折率 nETLは発光層3の波長λでの屈折率
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)