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1. (WO2009028536) ZnO系薄膜及び半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028536    国際出願番号:    PCT/JP2008/065269
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 27.08.2008
IPC:
C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/28 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YUJI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMURA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKASAKA, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHARA, Ken; (JP).
YUJI, Hiroyuki; (JP).
TAMURA, Kentaro; (JP).
AKASAKA, Shunsuke; (JP).
KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP).
TSUKAZAKI, Atsushi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2007-220186 27.08.2007 JP
2007-221198 28.08.2007 JP
発明の名称: (EN) ZnO THIN FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) FILM MINCE DE ZnO ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ZnO系薄膜及び半導体素子
要約: front page image
(EN)Provided are a ZnO thin film wherein unintended impurity doping is suppressed, and a semiconductor element. The ZnO thin film has a main surface, which is composed of MgxZn1-xO (0≤x<1) containing a p-type impurity, and satisfies at least a condition where density of observed hexagonal pits are 5x106 pits/cm2 or less or a condition where a recessed section having a plurality of fine crystal protrusions are formed at the bottom is not observed, in observation by means of an atomic force microscope.
(FR)Cette invention concerne un film mince de ZnO dans lequel le dopage des impuretés indésirables est supprimé, ainsi qu'un élément semi-conducteur. Le film mince de ZnO a une surface principale composée de MgxZn1-xO (0 ≤ x < 1) contenant une impureté de type p, et il satisfait au moins à une condition selon laquelle la densité des piqûres hexagonales observées est inférieure ou égale à 5x106 piqûres/cm2, ou à une condition selon laquelle on n'observe pas de section renfoncée présentant sur son fond une pluralité de saillies en cristal fin, lors d'une observation faite au moyen d'un microscope à force atomique.
(JA) 意図しない不純物のドーピングが抑制されたZnO系薄膜及び半導体素子を提供する。  p型不純物を含むMgxZn1-xO(0≦x<1)からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が5×106個/cm2以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)