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World Intellectual Property Organization
1. (WO2009028524) 4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028524    国際出願番号:    PCT/JP2008/065241
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 27.08.2008
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OUCHI, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Kunihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASAHARA, Meishoku [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENDO, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOIKE, Hanpei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OUCHI, Shinichi; (JP).
SAKAMOTO, Kunihiro; (JP).
MASAHARA, Meishoku; (JP).
ENDO, Kazuhiko; (JP).
KOIKE, Hanpei; (JP)
2007-222010 29.08.2007 JP
(JA) 4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)In a four-terminal double gate N-channel field effect transistor, a first gate electrode and a second gate electrode are arranged on the both surfaces of a semiconductor thin substrate by having gate insulating films in between, respectively, and at the both facing ends of the semiconductor thin substrate, a source electrode and a drain electrode are arranged. When a value of a difference between the work function of the first gate electrode and the electron affinity of the semiconductor thin substrate material is defined as a potential, the value is equivalent to a value of Vth,Lo,n-VthO,n or less, where Vth,Lo,n is a set value of a threshold voltage at the first gate electrode in low threshold operation, and VthO,n is a threshold of a three-terminal double gate N-channel field effect transistor wherein a gate electrode, which is heavily doped to N-type in the same element structure as the four-terminal double gate N-channel field effect transistor, is used for the first or the second gate electrode to connect the first or the second gate electrode.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à canal N, à double grille et à quatre bornes, dans lequel une première électrode de grille et une seconde électrode de grille sont agencées sur les deux surfaces d'un substrat semi-conducteur mince en ayant des films d'isolation de grille intercalés, respectivement, et au niveau des deux extrémités opposées du substrat semi-conducteur mince, une électrode de source et une électrode de drain sont agencées. Lorsqu'une valeur d'une différence entre la fonction de travail de la première électrode de grille et l'affinité électronique du matériau du substrat semi-conducteur mince est définie en tant que potentiel, la valeur est équivalente à une valeur de Vth,Lo,n-VthO,n ou moins, Vth,Lo,n étant une valeur fixée d'une tension de seuil au niveau de la première électrode de grille dans un fonctionnement à seuil bas, et VthO,n étant un seuil d'un transistor à effet de champ à canal N, à double grille et à trois bornes, dans lequel une électrode de grille, qui est fortement dopée en type N dans la même structure élémentaire que le transistor à effet de champ à canal N, à double grille et à quatre bornes, est utilisée pour la première ou la seconde électrode de grille afin de connecter la première ou la seconde électrode de grille.
(JA) 半導体薄板の両面に、それぞれゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極と第2のゲート電極を設け、半導体薄板の対向する両端にソース電極とドレイン電極をそれぞれ設ける4端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタにおいて、第1のゲート電極の仕事関数と半導体薄板材料の電子親和力の差をポテンシャルとして表した値が、Vth,Lo,n-Vth0,nの値以下であることを特徴とする4端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタ。ただしVth,Lo,nは、低閾値動作時の第1のゲート電極での閾値電圧の設計値であり、Vth0,nは、前記の4端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタと同一の素子構造中でN型に濃くドープされたゲート電極を第1乃至第2のゲート電極に用いて第1乃至第2のゲート電極を結線した3端子型ダブルゲートNチャネル電界効果トランジスタの閾値である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)