国際・国内特許データベース検索

1. (WO2009028511) リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2009/028511    International Application No.:    PCT/JP2008/065213
Publication Date: 2009/03/05 International Filing Date: 2008/08/26
IPC: G03F 7/11
G03F 7/26
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
日産化学工業株式会社
IMAMURA, Hikaru
今村 光
SAKAIDA, Yasushi
境田 康志
NAKAJIMA, Makoto
中島 誠
TAKEI, Satoshi
竹井 敏
Inventors: IMAMURA, Hikaru
今村 光
SAKAIDA, Yasushi
境田 康志
NAKAJIMA, Makoto
中島 誠
TAKEI, Satoshi
竹井 敏
Title: リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物及び半導体装置の製造方法
Abstract:
【課題】  均一に塗布することができ、熱硬化時に昇華物の発生が抑制される、レジスト下層膜形成組成物を得ることを目的とする。更に、上層のレジストに対するドライエッチングの選択比が大きいレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。 【解決手段】  下記式(1) 【化1】 [式中、  R1及びR2は、互いに独立して、-X-Y[式中、Xは、酸素原子、炭素原子数1ないし18のアルキレン基又は-OCnH2n-(式中、nは1ないし18の整数を表す。)で表される基を表し、Yは、ラクトン環又はアダマンタン環を表す。]で表される基を表すか、又は、  R1及びR2の一方は前記-X-Yで表される基を表し、他方はアリール基、メチル基、エチル基又は炭素原子数3ないし6の環状アルキル基を表す。]で表される単位構造を有するポリシラン化合物、及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。