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1. (WO2009028485) 有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイスの製造装置、基板処理システム、保護膜の構造体、および制御プログラムが記憶された記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028485    国際出願番号:    PCT/JP2008/065166
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 26.08.2008
IPC:
H05B 33/04 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHIKAWA, Hiraku [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISHIKAWA, Hiraku; (JP)
代理人: KAMEYA, Yoshiaki; HAZUKI INTERNATIONAL YOTSUYA, Daiichi Tomizawa Building, 3-1-3, Yotsuya, Shinjuku-ku Tokyo 1600004 (JP)
優先権情報:
2007-225144 31.08.2007 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC ELECTRONIC DEVICE, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, PROTECTION FILM STRUCTURE AND STORAGE MEDIUM WITH CONTROL PROGRAM STORED THEREIN
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE, PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION ASSOCIÉS, SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, STRUCTURE DE FILM PROTECTEUR ET SUPPORT DE MÉMORISATION DOTÉ D'UN PROGRAMME DE CONTRÔLE
(JA) 有機電子デバイス、有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイスの製造装置、基板処理システム、保護膜の構造体、および制御プログラムが記憶された記憶媒体
要約: front page image
(EN)An organic element is protected by a protection film, which has high sealing performance while relaxing a stress and does not change the characteristics of the organic element. In a substrate processing system (Sys), a substrate processing apparatus (10), which includes a deposition apparatus (PM1), a first microwave plasma processing apparatus (PM3) and a second microwave plasma processing apparatus (PM4), is arranged in a cluster structure, and an organic electronic device is manufactured by keeping a space where a substrate (G) moves from an area where the substrate (G) is carried in to an area where the substrate is carried out in a desired depressurized state. An organic EL element is formed by the deposition apparatus (PM1), butyne gas is brought into the plasma state by microwave power by the first microwave plasma processing apparatus (PM3), and an aCHx film (54) is formed adjacent to the organic EL element to cover the organic EL element. Then, silane gas and nitrogen gas are brought into plasma state by microwave power by the second microwave plasma processing apparatus (PM4), and a SiNx film (55) is formed on the aCHx film (54).
(FR)L'invention concerne un élément organique qui est protégé par un film protecteur présentant un pouvoir élevé d'étanchéité par détente d'un stress sans changer les caractéristiques de l'élément organique. Dans un système de traitement de substrat (Sys), un appareil de traitement de substrat (10), qui comprend un appareil de dépôt (PM1), un premier appareil de traitement par plasma micro-onde (PM3) et un deuxième appareil de traitement par plasma micro-onde (PM4), est disposé dans une structure regroupée. Un appareil électronique organique est fabriqué par l'aménagement d'un espace où un substrat (G) est déplacé d'une zone où le substrat (G) est entré à une zone où le substrat est sorti, dans un état de baisse de pression donnée. Un élément organique EL est fabriqué au moyen d'un appareil de dépôt (PM1), du gaz butyne étant mis à l'état de plasma par micro-onde au moyen du premier appareil de traitement par plasma micro-onde (PM3) et un film aCHx (54) étant formé adjacent à l'élément organique EL pour le couvrir. Ensuite, du gaz silane et du gaz azote sont mis à l'état de plasma par micro-onde au moyen du deuxième appareil de traitement par plasma micro-onde (PM4), et un film SiNx (55) est formé sur le film aCHx (54).
(JA)【課題】応力を緩和しながら高い封止力を持ち、かつ有機素子の特性を変化させない保護膜により有機素子を保護する。 【解決手段】 基板処理システムSysでは、蒸着装置PM1、第1のマイクロ波プラズマ処理装置PM3および第2のマイクロ波プラズマ処理装置PM4を含む基板処理装置10がクラスタ構造に配置され、基板Gの搬入から搬出までに基板Gが移動する空間を所望の減圧状態に保ちながら有機電子デバイスを製造する。蒸着装置PM1にて有機EL素子を形成し、第1のマイクロ波プラズマ処理装置PM3にてマイクロ波のパワーによりブチンガスをプラズマ化し、有機EL素子に隣接して有機EL素子を覆うようにaCHx膜54を形成し、第2のマイクロ波プラズマ処理装置PM4にてマイクロ波のパワーによりシランガスおよび窒素ガスをプラズマ化してaCHx膜54上にSiNx膜55を形成する。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)