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1. (WO2009028480) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028480    国際出願番号:    PCT/JP2008/065151
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 26.08.2008
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIZUKA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIZUKA, Tetsuya; (JP).
TAKAHASHI, Masahiko; (JP)
代理人: ITOH, Hidehiko; IMY INTERNATIONAL PATENT OFFICE, Oriental Sakaisuji Bldg., 21-19, Shimanouchi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5420082 (JP)
優先権情報:
2007-226345 31.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method includes a step of forming on a semiconductor substrate a protruding insulating layer having a surface and a rising surface which rises upward from such surface; a step of forming a conductive layer to cover the protruding insulating layer; and a step of removing a prescribed region of the conductive layer by patterning the region by applying a bias power of 70mW/cm2 or more to the semiconductor substrate under the condition of a high pressure of 85mTorr or more by etching process using microwave plasma having microwave as a plasma source.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur comprenant une étape de formation, sur un substrat semi-conducteur, d'une couche isolante saillante ayant une surface et une surface montante qui s'élève vers le haut à partir de cette surface ; une étape de formation d'une couche conductrice pour couvrir la couche isolante saillante ; et une étape d'élimination d'une région prescrite de la couche conductrice par formation de motifs sur la région par application d'une puissance de polarisation de 70 mW/cm2 ou plus au substrat semi-conducteur dans la condition d'une pression élevée de 85 mTorr ou plus par une procédure de gravure utilisant un plasma hyperfréquence ayant une hyperfréquence en tant que source de plasma.
(JA) 半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、面およびこの面から上方に立上る立上り面を持つ突状形態の絶縁層を形成する工程と、突状形態の絶縁層を覆うように導電層を形成する工程と、85mTorr以上の高圧の条件下で、半導体基板に70mW/cm以上のバイアスパワーを加えながら、マイクロ波をプラズマ源としたマイクロ波プラズマを用いたエッチング処理によって、導電層の所定領域をパターニングして除去する工程とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)