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1. (WO2009028298) スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028298    国際出願番号:    PCT/JP2008/063787
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 31.07.2008
予備審査請求日:    22.12.2008    
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/41 (2006.01)
出願人: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAMOTO, Shuichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGAHARA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAMOTO, Shuichiro; (JP).
SUGAHARA, Satoshi; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0031 (JP)
優先権情報:
2007-225697 31.08.2007 JP
2007-227261 03.09.2007 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE SRAM/LATCH CIRCUIT USING SPIN-INJECTION MAGNETIZATION REVERSAL MTJ
(FR) CIRCUIT DE VERROU/MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM) RÉMANENTE UTILISANT UNE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE À INVERSION DE MAGNÉTISATION À INJECTION DE SPIN
(JA) スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路
要約: front page image
(EN)A memory circuit comprises a bistable circuit (30) for storing data and ferromagnetic tunnel junction elements (MTJ1, MTJ2) for storing, in a nonvolatile manner, the data stored in the bistable circuit (30) in correspondence to a magnetization direction of a ferromagnetic electrode free layer. The memory circuit is capable of restoring the data stored in the ferromagnetic tunnel junction elements (MTJ1, MTJ2) in the nonvolatile manner into the bistable circuit (30). This makes it possible to write and read data into and from the bistable circuit (30) at high speed. The data stored in the ferromagnetic tunnel junction elements (MTJ1, MTJ2) in the nonvolatile manner can also be restored into the bistable circuit (30), even when a power supply is interrupted.
(FR)L'invention porte sur un circuit de mémoire qui comprend un circuit bistable (30) pour stocker des données et des éléments de jonction à effet tunnel ferromagnétiques (MTJ1, MTJ2) pour stocker, d'une manière rémanente, les données stockées dans le circuit bistable (30) en correspondance avec une direction de magnétisation d'une couche sans électrode ferromagnétique. Le circuit de mémoire est capable de récupérer les données stockées dans les éléments de jonction à effet tunnel ferromagnétiques (MTJ1, MTJ2) de la manière rémanente dans le circuit bistable (30). Ceci permet d'écrire et de lire des données dans et à partir du circuit bistable (30) à grande vitesse. Les données stockées dans les éléments de jonction à effet tunnel ferromagnétiques (MTJ1, MTJ2) de la manière rémanente peuvent également être récupérées dans le circuit bistable (30), même lorsqu'une alimentation est interrompue.
(JA) 本発明は、データを記憶する双安定回路30と、双安定回路30に記憶されたデータを強磁性電極フリー層の磁化方向に応じ不揮発的にストアする強磁性トンネル接合素子MTJ1およびMTJ2と、を具備し、強磁性トンネル接合素子MTJ1およびMTJ2に不揮発的に記憶されたデータを双安定回路30にリストア可能である記憶回路である。本発明によれば、双安定回路30へのデータの書き込みおよび読み出しを高速に行うことができる。また、電源が遮断されても強磁性トンネル接合素子MTJ1およびMTJ2に不揮発的にストアされたデータを双安定回路30にリストアすることが可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)