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World Intellectual Property Organization
1. (WO2009028188) 選択的膜製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/028188    国際出願番号:    PCT/JP2008/002337
国際公開日: 05.03.2009 国際出願日: 28.08.2008
H01L 21/203 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHMI, Hiromasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASUTAKE, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAKIUCHI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHMI, Hiromasa; (JP).
YASUTAKE, Kiyoshi; (JP).
KAKIUCHI, Hiroaki; (JP)
代理人: KOBAYASI, Ryohei; KOBAYASI PATENT & TRADEMARK 7th Floor, Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku Kyoto-si, Kyoto 6008091 (JP)
2007-225020 31.08.2007 JP
(JA) 選択的膜製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a selective film manufacturing method for selectively forming a film on a substrate easily without using a CVD method only on a surface section which is composed of a material such as Si on the substrate surface and is to have the thin film formed thereon. In a reaction chamber filled with a reaction gas mainly composed of a mixed gas of hydrogen and a rare gas at a pressure of 10-202kPa (76-1,520Torr), the substrate kept at a relatively high temperature and the target kept at a relatively low temperature with a volatile hydroxide are arranged in parallel. Electric discharge is generated between the substrate and the target, and a thin film of the target is selectively formed on the surface whereupon the film is to be formed, by using a difference between the film deposition speed on the surface section whereupon the film is to be formed and that on other surfaces. As the rare gas, He and Ne can be suitable used.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication sélective de film qui permet de former sélectivement un film sur un substrat de manière commode sans recourir à un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, et uniquement sur une partie de la surface dudit substrat qui est composée d'un matériau tel que du Si et qui est destinée à recevoir le film mince. Dans une chambre de réaction remplie d'un gaz réactionnel principalement composé d'un mélange d'hydrogène gazeux et de gaz rare à une pression comprise entre 10 et 202 kPa (76-1,520 Torr), on agence en parallèle le substrat et la cible, le substrat étant maintenu à une température relativement élevée et la cible étant maintenue à une température relativement basse au moyen d'un hydroxyde volatil. On produit une décharge électrique entre le substrat et la cible, et l'on forme sélectivement un film mince sur la surface de la cible destinée à recevoir le film mince, en utilisant la différence entre la vitesse de dépôt du film dans la partie de la surface destinée à recevoir le film et la vitesse de dépôt sur les autres surfaces. Les gaz rares pouvant convenir sont le He et le Ne.
(JA) 基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。圧力10~202kPa(76~1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)