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1. (WO2009025341) IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/025341    国際出願番号:    PCT/JP2008/064954
国際公開日: 26.02.2009 国際出願日: 21.08.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/261 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UMENO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ONO, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMOTO, Manabu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOURAI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UMENO, Shigeru; (JP).
KATO, Koji; (JP).
ONO, Toshiaki; (JP).
NISHIMOTO, Manabu; (JP).
HOURAI, Masataka; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2007-215333 21.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM POUR IGBT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM POUR IGBT
(JA) IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a wafer, by which a pulling speed margin can be increased and a wafer having a reduced p/n junction leak failure ratio with a small resistivity fluctuation can be manufactured. A silicon single crystal wafer composed of silicon single crystal grown by Czochralski method is also provided for IGBT. In the wafer, COP defects and dislocation clusters are eliminated in the entire region in a crystal diameter direction. The wafer has a p/n junction leak failure ratio of 3% or less after heat treatment which simulates heat treatment in the IGBT manufacturing process.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche, suivant lequel une marge de vitesse de traction peut être accrue et une tranche ayant un taux réduit de défaillances de fuite de jonction p/n avec une petite fluctuation de résistivité peut être fabriquée. L'invention porte également sur une tranche de monocristal de silicium composée d'un monocristal de silicium poussé par la méthode de Czochralski pour IGBT. Dans la tranche, les défauts COP et les grappes de dislocation sont éliminés dans toute la région dans une direction de diamètre de cristal. La tranche a un taux de défaillances rupture de fuite de jonction p/n de 3 % ou moins après traitement thermique qui simule un traitement thermique dans le procédé de fabrication des IGBT.
(JA) 引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、p/n接合リーク不良率を低減できる抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能とし、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるIGBT用のシリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてCOP欠陥および転位クラスタが排除されており、IGBTの製造プロセスにおける熱処理を模擬した熱処理後にp/n接合リーク不良率が3%以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)