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1. (WO2009025336) IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/025336    国際出願番号:    PCT/JP2008/064949
国際公開日: 26.02.2009 国際出願日: 21.08.2008
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/261 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIMOTO, Manabu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UMENO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOURAI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIMURA, Wataru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIMOTO, Manabu; (JP).
UMENO, Shigeru; (JP).
HOURAI, Masataka; (JP).
SUGIMURA, Wataru; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2007-215331 21.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM POUR IGBT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM POUR IGBT
(JA) IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a process for producing a silicon single crystal wafer for IGBT, which can expand pull-up speed margin and can produce low-oxygen wafers having no significant variation in electric resistivity, in a short time, and a silicon single crystal wafer for IGBT. In a Chokralsky method, an n-type dopant is added to a silicon melt, and a single crystal is grown at such a silicon single crystal pull-up speed that a silicon single crystal free from grown-in defects can be pulled up. In this case, after filling an initial polycrystalline material, the single crystal having an interstitial oxygen concentration of not more than 8.5 × 1017 atoms/cm3 is grown while supplying additional material.
(FR)Cette invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de monocristal de silicium pour IGBT, qui peut élargir la marge de vitesse de traction et permet de produire des tranches à faible teneur en oxygène n'ayant pas de variation significative de la résistivité électrique, en un court laps de temps, et sur une tranche de monocristal de silicium pour IGBT. Dans un procédé de Chokralsky, un dopant de type n est ajouté à une masse fondue de silicium, et un monocristal est amené à pousser à une vitesse de traction de monocristal de silicium telle qu'un monocristal de silicium exempt de défauts de croissance peut être tiré. Dans ce cas, après charge d'une matière polycristalline initiale, le monocristal ayant une concentration en oxygène interstitiel de pas plus de 8,5 x 1017 atomes/cm3 est amené à pousser tout en fournissant une matière supplémentaire.
(JA) 引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さな低酸素のウェーハを短時間で製造可能であるIGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びIGBT用シリコン単結晶ウェーハを提供するために、チョクラルスキー法によってシリコン融液にn型ドーパントを添加し、シリコン単結晶の引き上げ速度をGrown-in欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、単結晶を育成する際に、初期多結晶原料を充填した後、追加原料を供給しながら格子間酸素濃度が8.5×1017atoms/cm以下の前記単結晶を育成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)