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1. (WO2009025258) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/025258    国際出願番号:    PCT/JP2008/064710
国際公開日: 26.02.2009 国際出願日: 18.08.2008
IPC:
C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISOBE, Tatsunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMATSU, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATOU, Shigemitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OOZORA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANIGUCHI, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAGUCHI, Masao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISOBE, Tatsunori; (JP).
KOMATSU, Takashi; (JP).
SATOU, Shigemitsu; (JP).
OOZORA, Hiroki; (JP).
TANIGUCHI, Hideo; (JP).
KAWAGUCHI, Masao; (JP)
代理人: SEIGA Patent and Trademark Corporation; 9th Fl., Saisho Bldg. 8-1-14, Nishi-Gotanda, Shinagawa-ku Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2007-213973 20.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING METHOD AND SPUTTERING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
要約: front page image
(EN)A sputtering method capable of inhibiting occurrence of abnormal discharge caused by charge-up of a processing substrate and well forming a transparent conductive film on a large-area processing substrate. Power is supplied to targets making respective pairs among a plurality of targets (41a to 41h) facing the processing substrate (S) in a sputter chamber (12) and juxtaposed at a predetermined interval while alternating polarity with predetermined frequency. Each target is alternately switched over between an anode electrode and a cathode electrode. Glow discharge is caused between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere to sputter each target. The power supply to each target is intermittently suspended while sputtering.
(FR)L'invention porte sur un procédé de pulvérisation cathodique pouvant empêcher l'apparition d'une décharge anormale provoquée par le chargement d'un substrat de traitement et pouvant former de façon satisfaisante un film conducteur transparent sur un substrat de traitement de surface importante. Une puissance est adressée à des cibles formant des paires respectives parmi une pluralité de cibles (41a à 41h) faisant face au substrat de traitement (S) dans une chambre de pulvérisation cathodique (12) et juxtaposées à un intervalle prédéterminé tout en alternant la polarité avec une fréquence prédéterminée. Chaque cible est commutée de façon alternée entre une électrode d'anode et une électrode de cathode. Une décharge luminescente est provoquée entre l'électrode d'anode et l'électrode de cathode pour former une atmosphère de plasma pour pulvériser chaque cible. L'alimentation électrique à chaque cible est suspendue par intermittence lors de la pulvérisation cathodique.
(JA)処理基板のチャージアップに起因した異常放電の発生を抑制して、大面積の処理基板に対して良好に透明電導膜を形成できるスパッタリング方法を提供する。スパッタ室12内で処理基板Sに対向させかつ所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット41a乃至41hのうち、それぞれ対をなすターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。スパッタリング中、各ターゲットへの電力投入を間欠停止する。     
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)