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1. (WO2009025254) 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/025254    国際出願番号:    PCT/JP2008/064695
国際公開日: 26.02.2009 国際出願日: 18.08.2008
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
出願人: SILTRONIC JAPAN CORPORATION [JP/JP]; 11-12, Hacchobori 3-chome, Chuo-ku Tokyo 1040032 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAHARA, Ryo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMOTO, Shinobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKIYAMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAHARA, Ryo; (JP).
NAKAMOTO, Shinobu; (JP).
TAKIYAMA, Makoto; (JP)
代理人: SUGIMOTO, Hiroshi; SONDERHOFF & EINSEL LAW AND PATENT OFFICE, Shin-Marunouchi Center Building, 6-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2007-213661 20.08.2007 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROMPTLY EVALUATING THE SURFACE QUALITY OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE IN PACKAGED STATE
(FR) PROCÉDÉ POUR ÉVALUER RAPIDEMENT LA QUALITÉ DE SURFACE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DANS UN ÉTAT CONDITIONNÉ
(JA) 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for promptly evaluating the surface quality of a semiconductor substrate in a packaged state. The method for promptly evaluating the surface quality of the semiconductor substrate in the packaged state is characterized by packaging the semiconductor substrate at a room temperature (Tam) with a packaging material, and by inspecting the degradation of the surface quality of the semiconductor substrate after (1) raising the temperature of the semiconductor substrate from the room temperature (Tam), and keeping the semiconductor substrate at a high temperature (Thi) for a time period (thi), (2) dropping the temperature of the semiconductor substrate, and keeping the semiconductor substrate at a low temperature (Tlow) for a time period (tlow), and (3) raising the temperature of the semiconductor substrate, and keeping the semiconductor substrate at the room temperature (Tam) for a time period (tam). The method makes it possible to evaluate the degradation degree of the semiconductor substrate in the packaged state, to estimate the storage period of the semiconductor substrate before use, to evaluate the degradation of the quality of the packaging material, and to identify the degradation factors.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour évaluer rapidement la qualité de surface d'un substrat semi-conducteur dans un état conditionné. Le procédé pour évaluer rapidement la qualité des surfaces du substrat semi-conducteur dans l'état conditionné est caractérisé par le conditionnement du substrat semi-conducteur à une température ambiante (Tam) avec un matériau de conditionnement, et par l'inspection de la dégradation de la qualité de surface du substrat semi-conducteur après (1) élévation de la température du substrat semi-conducteur à partir de la température ambiante (Tam), et conservation du substrat semi-conducteur à une température élevée (Thi) pendant une période de temps (thi), (2) chute de la température du substrat semi-conducteur, et conservation du substrat semi-conducteur à une température faible (Tlow) pendant une période de temps (tlow), et (3) élévation de la température du substrat semi-conducteur et conservation du substrat semi-conducteur à la température ambiante (Tam) pendant une période de temps (tam). Le procédé permet d'évaluer le degré de dégradation du substrat semi-conducteur dans l'état conditionné, pour estimer la période de stockage du substrat semi-conducteur avant utilisation, pour évaluer la dégradation de la qualité du matériau de conditionnement, et pour identifier les facteurs de dégradation.
(JA) 包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法を提供する。  本発明の包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法は、半導体基板を室温Tamで包装材料にて包装し、 (1)温度Tamより昇温して高温度Thiで時間thi維持し、 (2)降温して低温度Tlowで時間tlow維持し、 (3)昇温して室温Tamで時間tam時間維持した後、 半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする。  本発明の方法により、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価すること、半導体基板の使用前保存期限を推定すること、包装材料の品質の劣化の評価すること、及び劣化因子の同定することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)