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1. (WO2009022718) 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/022718    国際出願番号:    PCT/JP2008/064572
国際公開日: 19.02.2009 国際出願日: 14.08.2008
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UBE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1978-96, Oaza Kogushi, Ube-shi, Yamaguchi 7558633 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UBE-NITTO KASEI CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Higashi-nihonbashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUOKA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOKUCHI, Atsutoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANUKI, Kohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOIKE, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ADACHI, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHMI, Tadahiro; (JP).
MATSUOKA, Takaaki; (JP).
INOKUCHI, Atsutoshi; (JP).
WATANUKI, Kohei; (JP).
KOIKE, Tadashi; (JP).
ADACHI, Tatsuhiko; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2007-212504 16.08.2007 JP
発明の名称: (EN) INTERLAYER INSULATION FILM AND WIRING STRUCTURE, AND THEIR MANUFACTURING METHOD
(FR) FILM D'ISOLATION INTERCOUCHE ET STRUCTURE DE CÂBLAGE, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法
要約: front page image
(EN)An insulative coat film comprising one or two or more kinds of oxides having a dielectric constant (k) of 2.5 or smaller and expressed by a general formula of ((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x (where n=1 to 3, x≤1) is used to form an interlayer insulation film. The insulative coat film applied by spin-coating is flat without reflecting underlying unevenness, and the heat-treated film has surface roughness of 1 nm or less in Ra and 20 nm or less in a P-V value. The interlayer insulation film containing the insulative coat film can have a wiring structure and an electrode formed only by etchingwithout need of a CMP process.
(FR)L'invention concerne un film de revêtement isolant comprenant une ou deux ou plus de deux sortes d'oxydes présentant une constante diélectrique (k) inférieure ou égale à 2,5 et exprimée par une formule générale ((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x (où n = 1 à 3, x £ 1), qui est utilisé pour former une couche d'isolation intercouche. Le film de revêtement isolant appliqué par un dépôt à la tournette est plat sans révéler l'irrégularité sous-jacente, et le film traité thermiquement présente une rugosité de surface inférieure ou égale à 1 nm en Ra et inférieure ou égale à 20 nm dans une valeur P-V. Le film d'isolation intercouche contenant le film de revêtement isolant peut présenter une structure de câblage et une électrode formée uniquement par gravure sans le besoin d'un recours à un procédé CMP.
(JA) 2.5以下の比誘電率kを有し、且つ、一般式(CHnSiO2-n/2(SiO1-x (但し、n=1~3、x≦1)であらわされる一種又は、二種以上の酸化物で構成される絶縁性塗布膜を用いて、層間絶縁膜を形成する。スピンコートによって塗布された絶縁性塗布膜は、下地の凹凸を反映することなく平坦であり、且つ、熱処理された膜は、Raで1nm以下、P-V値で20nm以下の表面粗さである。絶縁性塗布膜を含む層間絶縁膜は、CMPプロセスを必要とすることなく、エッチングだけで配線構造、及び電極を形成できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)