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1. (WO2009022651) 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法、光送信装置、光配線モジュール、および電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/022651    国際出願番号:    PCT/JP2008/064315
国際公開日: 19.02.2009 国際出願日: 08.08.2008
IPC:
H01S 5/068 (2006.01)
出願人: OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAMANA, Kentaro; (米国のみ).
ENAMI, Akira; (米国のみ).
TERAKAWA, Yukari; (米国のみ).
UNO, Keisuke; (米国のみ).
HOSOKAWA, Hayami; (米国のみ)
発明者: HAMANA, Kentaro; .
ENAMI, Akira; .
TERAKAWA, Yukari; .
UNO, Keisuke; .
HOSOKAWA, Hayami;
代理人: MASUI, Yoshihisa; HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6 Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2007-210807 13.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DRIVE APPARATUS, SEMICONDUCTOR LASER DRIVE METHOD, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL WIRING MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL D'EXCITATION DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'EXCITATION DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR, ÉMETTEUR OPTIQUE, MODULE DE CÂBLAGE OPTIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法、光送信装置、光配線モジュール、および電子機器
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser drive apparatus comprises a bias current setting section (232) which sets a bias current value on the basis of the drive temperature so that the temperature characteristic of the bias current value with respect to the drive temperature may be a linear function having a slope except zero and a drive current setting section (233) for setting the drive current value on the basis of the drive temperature so that the temperature characteristic of the drive current value with respect to the drive temperature may be a function having a slope except zero. The temperature characteristic of the bias current and that of the drive current are functions different from each other. With this, low cost, space-saving, and power-saving of a semiconductor laser are achieved, and a semiconductor laser drive apparatus enabling a good transmission characteristic on the reception side and a high optical output over the whole drive temperature range when driving the semiconductor laser can be provided.
(FR)L'invention concerne un appareil d'excitation de laser à semi-conducteur qui comprend une section de réglage de courant de polarisation (232) qui règle une valeur de courant de polarisation sur la base de la température d'excitation de sorte que la caractéristique de température de la valeur de courant de polarisation par rapport à la température d'excitation peut être une fonction linéaire ayant une pente non nulle et une section de réglage de courant d'excitation (233) pour régler la valeur de courant d'excitation sur la base de la température d'excitation de sorte que la caractéristique de température de la valeur de courant d'excitation par rapport à la température d'excitation peut être une fonction ayant une pente non nulle. La caractéristique de température du courant de polarisation est celle du courant d'excitation sont des fonctions différentes l'une de l'autre. Ainsi, un faible coût, une économie d'espace et une économie de puissance d'un laser semi-conducteur sont obtenus, et un appareil d'excitation de laser à semi-conducteur permettant une bonne caractéristique de transmission du côté réception et une forte puissance optique sur toute la plage de température d'excitation lorsqu'il excite le laser à semi-conducteur peut être proposé.
(JA) 駆動温度に基づいて、当該駆動温度に対するバイアス電流値の温度特性が、0以外の傾きを有する線形関数となるように、バイアス電流値を設定するバイアス電流設定部(232)と、駆動温度に基づいて、当該駆動温度に対する駆動電流値の温度特性が、0以外の傾きを有する関数となるように、駆動電流値を設定する駆動電流設定部(233)と、を備える。また、バイアス電流の温度特性と駆動電流の温度特性とは、互いに異なる関数となる。これにより、半導体レーザの低コスト化、省スペース化、低電力化を可能とし、かつ半導体レーザの駆動においては、全駆動温度範囲に渡って、受信側で良好な伝送特性および光出力が得られる、半導体レーザ駆動装置を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)