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1. (WO2009022581) 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び、記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/022581    国際出願番号:    PCT/JP2008/064043
国際公開日: 19.02.2009 国際出願日: 05.08.2008
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SEGAWA, Sumie [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SEGAWA, Sumie; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2007-210263 10.08.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び、記憶媒体
要約: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method has a step of generating fine bubbles, which are charged to positive or negative with substantially no buoyant force, in a coat solution, i.e., an insulating film forming material; a step of forming a coat film by applying the coat solution including the bubbles on a substrate; and a step of obtaining a porous low dielectric constant insulating film by heating the substrate before the bubbles disappear and by baking the coat film.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui comprend une étape de génération de fines bulles, qui sont chargées positivement ou négativement avec sensiblement aucune force de flottabilité, dans une solution de revêtement, c'est-à-dire un matériau de fabrication de film isolant; une étape de fabrication d'un film de revêtement par l'application de la solution de revêtement comprenant les bulles sur un substrat; et une étape d'obtention d'un film isolant poreux à faible constante diélectrique par chauffage du substrat avant que les bulles ne disparaissent et par cuisson du film de revêtement.
(JA) 本発明は、絶縁膜形成材料である塗布液中に、正及び負の一方に帯電していて、かつ、浮力がほぼゼロである、という微小な気泡を発生させる工程と、前記気泡を含む塗布液を、基板上に塗布して、塗布膜を形成する工程と、前記気泡が消失する前に、前記基板を加熱して、前記塗布膜をベーキングすることにより多孔質の低誘電率の絶縁膜を得る工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)