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1. (WO2009022509) MOSトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2009/022509    国際出願番号:    PCT/JP2008/062507
国際公開日: 19.02.2009 国際出願日: 10.07.2008
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: MITSUMI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-11-2, Tsurumaki, Tama-Shi, Tokyo 2068567 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KASAHARA, Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KASAHARA, Masaki; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-Chome Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
2007-210123 10.08.2007 JP
発明の名称: (EN) MOS TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME
(FR) TRANSISTOR MOS ET DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CELUI-CI
(JA) MOSトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置
要約: front page image
(EN)Provided is an MOS transistor having a plurality of transistor cells each of which has a drain and a source arranged in parallel, on the both sides of a plurality of gates extending in parallel to the same direction on a surface of a semiconductor substrate. The MOS transistor has a plurality of transistor cell blocks divided in the extending direction of the transistor cell. A drain power feeding conductive hole is arranged for supplying the drain with a current so that the directions of currents flowing in the drain of the transistor cell blocks are the same in the same transistor cell block and are opposite to each other in the adjacent transistor cell blocks.
(FR)L'invention porte sur un transistor MOS ayant une pluralité de cellules de transistor dont chacune a un drain et une source s'étendant en parallèle, sur les deux côtés d'une pluralité de grilles s'étendant en parallèle dans la même direction sur une surface d'un substrat semi-conducteur. Le transistor MOS a une pluralité de blocs de cellules de transistor divisés dans la direction d'extension de la cellule de transistor. Un trou conducteur d'alimentation de puissance de drain est agencé pour alimenter le drain en courant de telle sorte que les sens des courants circulant dans le drain des blocs de cellules de transistor sont identiques dans le même bloc de cellules de transistor et sont opposés entre eux dans des blocs de cellules de transistor adjacents.
(JA) 半導体基板表面上で同一方向に平行に延在する複数のゲートの両側に、ドレイン及びソースが平行に配置されたトランジスタセルを複数有するMOSトランジスタであって、前記トランジスタセルの延在方向に分割されたトランジスタセルブロックを複数有し、前記トランジスタセルブロックの前記ドレインを流れる電流の向きが、同一の前記トランジスタセルブロック内で同一であって、隣接した前記トランジスタセルブロック同士で逆向きとなるように、前記ドレインに電流を供給するドレイン給電用導通孔を配置したことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)