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1. (WO2009020235) III族窒化物半導体エピタキシャル基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

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国際公開番号:    WO/2009/020235    国際出願番号:    PCT/JP2008/064501
国際公開日: 12.02.2009 国際出願日: 06.08.2008
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AMANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BANDO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AMANO, Hiroshi; (JP).
BANDO, Akira; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1 Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2007-208496 09.08.2007 JP
発明の名称: (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE DE GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体エピタキシャル基板
要約: front page image
(EN)Disclosed is a group III nitride semiconductor epitaxial substrate, specifically an AlxGa1-xN epitaxial substrate (0 ≤ x ≤ 1), which is improved in crystal quality by suppressing generation of cracks and dislocations. More specifically disclosed is an AlxGa1-xN epitaxial substrate (0 < x ≤ 1), which is useful for a light-emitting device of ultraviolet or deep ultraviolet region. The group III nitride semiconductor epitaxial substrate is composed of a base and an AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1) layer arranged on the base. This group III nitride semiconductor epitaxial substrate is characterized in that a layer, wherein crystals having -C polarity and crystals having +C polarity are mixed, is arranged on the base side of the AlxGa1-xN layer.
(FR)La présente invention concerne un substrat pour croissance épitaxiale à semi-conducteurs au nitrure de groupe III, notamment un substrat pour croissance épitaxiale à base de AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1), amélioré en qualité cristalline par la suppression de génération de fissures et de dislocations. De manière plus spécifique, l'invention concerne un substrat pour croissance épitaxiale à base de AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1), utile pour un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs de région ultraviolette ou d'ultraviolette profonde. Le substrat pour croissance épitaxiale à semi-conducteurs de nitrure de groupe III est constitué d'une base et d'une couche de AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1) disposée sur la base. Le substrat pour croissance épitaxiale à semi-conducteurs de nitrure de groupe III est caractérisé en ce qu'une couche, dans laquelle des cristaux ayant une polarité -C et des cristaux ayant une polarité +C sont mélangés, est disposée sur la face côté base de la couche AlxGa1-xN.
(JA)本発明の目的は、クラックや転位の発生を抑制し、結晶品質を向上させたIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、即ちAlxGa1-xN(0≦x≦1)エピタキシャル基板を提供することである。特に、紫外または深紫外領域の発光素子に有用なAlxGa1-xN(0<x≦1)エピタキシャル基板を提供することである。 本発明のIII族窒化物半導体エピタキシャル基板は、基材および該基材上に積層されたAlxGa1-xN(0≦x≦1)層からなり、該AlxGa1-xN層の基材側に−C極性を有する結晶および+C極性を有する結晶が混在する層が存在することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)